公开(公告)号：CN101630623B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

摘要： 本发明提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN1820346B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200480019519.9

申请日：2004-04-26

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

摘要： 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN101630623A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

摘要： 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN1820346A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019519.9

申请日：2004-04-26

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

摘要： 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。