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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109773628A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811339462.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用一个处理头对晶片等基板的表面进行研磨、清洗等不同的处理且能够效率良好地处理基板的表面的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置具备：基板保持部(10)，保持晶片(W)并使该晶片旋转；以及处理头(50)，使多个磨砂带(61)与晶片的第一面(1)接触并对晶片的第一面进行处理，处理头(50)具备：多个按压部件(65)，分别将多个磨砂带向晶片的第一面按压；多个位置切换装置(67)，构成为能够使多个按压部件(65)的各自的位置在处理位置与退避位置之间切换；多个带抽出卷筒(71)，分别将多个磨砂带抽出；以及多个带卷入卷筒(72)，将多个磨砂带卷入。
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公开(公告)号：CN112706002B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011147586.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够正确确定基板的研磨终点的研磨方法及研磨装置。本方法为，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，由研磨头(10)将基板(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压而对基板(W)进行研磨，对基板(W)进行研磨的工序包括一面使研磨头(10)沿着研磨面(2a)摆动一面对基板(W)进行研磨的摆动研磨工序，和在使研磨头(10)的摆动停止的状态下对基板(W)进行研磨的静止研磨工序，静止研磨工序在摆动研磨工序后进行，静止研磨工序包括确定静止研磨终点的工序，该静止研磨终点是用来使研磨台(3)旋转的转矩的变化的比例达到变化比例阈值的时间点。
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公开(公告)号：CN107073674B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201580058353.X
申请日：2015-10-30
Abstract: 本发明涉及一种用于对金属筐体等工件进行研磨并进行镜面精加工的化学机械研磨(CMP)装置。化学机械研磨装置包括：研磨垫(2)，该研磨垫(2)具有环状研磨面(2a)，环状研磨面(2a)具有弯曲的纵截面；工件保持部(11)，该工件保持部(11)对具有多边形形状的工件(W)进行保持；旋转装置(15)，该旋转装置(15)使工件保持部(11)绕工件(W)的轴心旋转；按压装置(14)，该按压装置(14)将工件(W)的周缘部按压到环状研磨面(2a)；以及动作控制部(25)，该动作控制部(25)根据工件(W)的旋转角度改变旋转装置(15)使工件(W)旋转的速度。在研磨台(3)的半径方向上，按压装置(14)配置于比工件保持部(11)靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN112706002A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011147586.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够正确确定基板的研磨终点的研磨方法及研磨装置。本方法为，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，由研磨头(10)将基板(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压而对基板(W)进行研磨，对基板(W)进行研磨的工序包括一面使研磨头(10)沿着研磨面(2a)摆动一面对基板(W)进行研磨的摆动研磨工序，和在使研磨头(10)的摆动停止的状态下对基板(W)进行研磨的静止研磨工序，静止研磨工序在摆动研磨工序后进行，静止研磨工序包括确定静止研磨终点的工序，该静止研磨终点是用来使研磨台(3)旋转的转矩的变化的比例达到变化比例阈值的时间点。
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公开(公告)号：CN107073674A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058353.X
申请日：2015-10-30
Abstract: 本发明涉及一种用于对金属筐体等工件进行研磨并进行镜面精加工的化学机械研磨(CMP)装置。化学机械研磨装置包括：研磨垫(2)，该研磨垫(2)具有环状研磨面(2a)，环状研磨面(2a)具有弯曲的纵截面；工件保持部(11)，该工件保持部(11)对具有多边形形状的工件(W)进行保持；旋转装置(15)，该旋转装置(15)使工件保持部(11)绕工件(W)的轴心旋转；按压装置(14)，该按压装置(14)将工件(W)的周缘部按压到环状研磨面(2a)；以及动作控制部(25)，该动作控制部(25)根据工件(W)的旋转角度改变旋转装置(15)使工件(W)旋转的速度。在研磨台(3)的半径方向上，按压装置(14)配置于比工件保持部(11)靠内侧的位置。
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