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公开(公告)号：CN105390383A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520741.7
申请日：2015-08-21
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 提供晶片的加工方法，能够抑制加工时间变长并且能够扩大器件区域。晶片的加工方法具备第1磨削步骤以及第2磨削步骤。在第1磨削步骤中，在作为与磨削装置的卡盘工作台的保持面垂直的方向的加工进给方向上移动第1磨具来对晶片(W)进行磨削，在晶片(W)的背面(WR)形成第1圆形凹部(R1)。在第2磨削步骤中，使由比第1磨具细的磨粒形成的第2磨具(34)从晶片(W)的中心侧朝向晶片(W)的外周沿倾斜方向下降，对第1圆形凹部(R1)进行磨削。
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公开(公告)号：CN107808898B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710779489.0
申请日：2017-09-01
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/304
摘要： 提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。
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公开(公告)号：CN109202690B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810666928.1
申请日：2018-06-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供磨削装置，容易将磨削水排出至呈环状配置的磨具的外侧。磨削装置(1)具有磨削水提供单元(30)，磨削水提供单元具有：贯通路(31)，其贯通于主轴(14)和安装座(13)；以及磨削水喷嘴(32)，其配设在安装座的安装面(13a)侧的中心，与贯通路连通而放出磨削水(GW)，磨削水喷嘴具有：筒体(33)，其从安装座垂下；放水部(34)，其形成在筒体的自由端部(33a)；以及引导部(35)，其对在贯通路中流下的磨削水进行引导，以使磨削水沿着筒体的内壁(33b)流动，放水部具有使磨削水呈扩口状放出的倒角部(34a)，因此能够朝向呈环状配置的磨具(12)的整个圆周的前端部分均匀地提供磨削水，磨削水容易从晶片(W)的被磨削面与磨具之间的略微的间隙排出至磨具的外侧。
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公开(公告)号：CN105390383B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201510520741.7
申请日：2015-08-21
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 提供晶片的加工方法，能够抑制加工时间变长并且能够扩大器件区域。晶片的加工方法具备第1磨削步骤以及第2磨削步骤。在第1磨削步骤中，在作为与磨削装置的卡盘工作台的保持面垂直的方向的加工进给方向上移动第1磨具来对晶片(W)进行磨削，在晶片(W)的背面(WR)形成第1圆形凹部(R1)。在第2磨削步骤中，使由比第1磨具细的磨粒形成的第2磨具(34)从晶片(W)的中心侧朝向晶片(W)的外周沿倾斜方向下降，对第1圆形凹部(R1)进行磨削。
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公开(公告)号：CN109202690A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810666928.1
申请日：2018-06-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供磨削装置，容易将磨削水排出至呈环状配置的磨具的外侧。磨削装置(1)具有磨削水提供单元(30)，磨削水提供单元具有：贯通路(31)，其贯通于主轴(14)和安装座(13)；以及磨削水喷嘴(32)，其配设在安装座的安装面(13a)侧的中心，与贯通路连通而放出磨削水(GW)，磨削水喷嘴具有：筒体(33)，其从安装座垂下；放水部(34)，其形成在筒体的自由端部(33a)；以及引导部(35)，其对在贯通路中流下的磨削水进行引导，以使磨削水沿着筒体的内壁(33b)流动，放水部具有使磨削水呈扩口状放出的倒角部(34a)，因此能够朝向呈环状配置的磨具(12)的整个圆周的前端部分均匀地提供磨削水，磨削水容易从晶片(W)的被磨削面与磨具之间的略微的间隙排出至磨具的外侧。
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公开(公告)号：CN107808898A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710779489.0
申请日：2017-09-01
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B37/042 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L29/0657
摘要： 提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。
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