等离子处理装置及方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108885983B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN201680083905.7

    申请日:2016-05-30

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    摘要: 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极,在喷吹面板(33)上连接负极,而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过,产生等离子。通过产生的等离子,将基板(11)的表面的污染物质除去。

    等离子处理装置及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108885983A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201680083905.7

    申请日:2016-05-30

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    CPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    摘要: 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极,在喷吹面板(33)上连接负极,而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过,产生等离子。通过产生的等离子,将基板(11)的表面的污染物质除去。