公开(公告)号：CN104813746A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380055979.6

申请日：2013-09-12

申请人： 株式会社JCU

发明人： 深泽信司 ,  浅野敬祐 ,  上山浩幸

IPC分类号： H05H1/46 ,  B08B7/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01J37/32532 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

摘要： 提供均匀地进行针对被处理物的基于等离子体的表面处理的等离子体处理装置以及方法。将基板(11)保持在保持部(33)而收容在处理室内。对置于基板(11)的表面而配置有电极组(31，32)，各电极组(31，32)通过排列有高频电极(25)以及接地电极(26)的第1电极部(31a，32a)和第2电极部(31b，32b)构成。使从导入口释放的过程气体在各电极(25，26)之间穿过而产生等离子体。通过所产生的等离子体，将基板(11)的表面的污染物质去除。

公开(公告)号：CN108885983B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201680083905.7

申请日：2016-05-30

申请人： 株式会社JCU

发明人： 浅野敬祐 ,  山田贤一 ,  川崎智弘 ,  沼川信孝

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065

摘要： 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极，在喷吹面板(33)上连接负极，而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过，产生等离子。通过产生的等离子，将基板(11)的表面的污染物质除去。

公开(公告)号：CN108885983A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680083905.7

申请日：2016-05-30

申请人： 株式会社JCU

发明人： 浅野敬祐 ,  山田贤一 ,  川崎智弘 ,  沼川信孝

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065

摘要： 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极，在喷吹面板(33)上连接负极，而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过，产生等离子。通过产生的等离子，将基板(11)的表面的污染物质除去。