氧化物膜形成用涂布剂、氧化物膜的制造方法及金属镀覆结构体的制造方法

    公开(公告)号:CN111479953A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201880079479.9

    申请日:2018-10-30

    申请人: 株式会社JCU

    摘要: 本发明提供一种氧化物膜形成用涂布剂、氧化物膜及金属镀覆结构体的制造方法,能够提高涂布剂的稳定性,能够容易地形成与基材的密合性高、能够进行镀覆处理的氧化物膜。氧化物膜形成用涂布剂是液态的涂布剂,必须含有钛原子,选择性含有硅原子及铜原子,钛原子及铜原子的合计与硅原子的比例为1∶0~3∶2。另外,氧化物膜的制造方法具备将该涂布剂涂布在基材上并加热而形成氧化物膜的工序。另外,金属镀覆结构体的制造方法具有在该氧化物膜上形成金属膜的金属膜形成工序和对金属膜进行烧制的烧制工序。

    基板镀敷夹具
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104781453B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201280076998.2

    申请日:2012-11-14

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: C25D17/06

    摘要: 本发明的目的在于提供一种仅通过一次镀敷处理就可以在半导体晶片的双面同时形成金属镀敷膜并且与保持部相比更薄的具有简单的结构的镀敷夹具。该镀敷夹具具备:形成为能够保持被镀敷基板的基座部和盖部、以及被基座部与盖部夹持而将被镀敷基板定位的中心部,其特征在于,该基座部、该盖部以及该中心部都具有在中央具有开口的环状部,在基座部环状部以及盖部环状部安装有在彼此对置的面上配设有通电环的密封垫,被镀敷基板配置在中心部的开口内,利用安装于盖部以及中心部的上述密封垫从正反两面夹持被镀敷基板。

    基板镀敷夹具
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104781453A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201280076998.2

    申请日:2012-11-14

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: C25D17/06

    摘要: 本发明的目的在于提供一种仅通过一次镀敷处理就可以在半导体晶片的双面同时形成金属镀敷膜并且与保持部相比更薄的具有简单的结构的镀敷夹具。该镀敷夹具具备:形成为能够保持被镀敷基板的基座部和盖部、以及被基座部与盖部夹持而将被镀敷基板定位的中心部,其特征在于,该基座部、该盖部以及该中心部都具有在中央具有开口的环状部,在基座部环状部以及盖部环状部安装有在彼此对置的面上配设有通电环的密封垫,被镀敷基板配置在中心部的开口内,利用安装于盖部以及中心部的上述密封垫从正反两面夹持被镀敷基板。

    等离子处理装置及方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108885983B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN201680083905.7

    申请日:2016-05-30

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    摘要: 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极,在喷吹面板(33)上连接负极,而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过,产生等离子。通过产生的等离子,将基板(11)的表面的污染物质除去。

    金属氧化物膜形成用涂布剂及具有金属氧化物膜的基体的制造方法

    公开(公告)号:CN108884574B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN201780021865.8

    申请日:2017-03-29

    IPC分类号: C23C26/00 C01B13/14 C23C18/18

    摘要: 本发明提供含有与N,N‑二甲基乙酰胺(DMA)、N‑甲基吡咯烷酮(NMP)不同的有机溶剂、且保形涂布性优异的金属氧化物膜形成用涂布剂及具有金属氧化物膜的基体的制造方法。金属氧化物膜形成用涂布剂,其含有溶剂和金属,溶剂含有下述的式(1)表示的化合物(A)。式(1)中,R1及R2各自独立地为碳原子数1~3的烷基,R3为下式(1‑1)或下式(1‑2)表示的基团。式(1‑1)中,R4为氢原子或羟基,R5及R6各自独立地为碳原子数1~3的烷基。式(1‑2)中,R7及R8各自独立地为氢原子、或碳原子数1~3的烷基。

    包含含锍基的醚化合物的镀液
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118922586A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202280092757.0

    申请日:2022-03-01

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: C25D3/38 C25D7/00 C25D7/12

    摘要: 本发明提供一种填孔特性优异、能够形成平坦的镀敷表面的镀液。一种镀液,其含有水溶性的金属盐和含锍基的醚化合物。金属盐优选为包含铜的盐,含锍基的醚化合物优选为质均分子量2,000以上10,000以下的化合物。另外,镀液中的含锍基的醚化合物的浓度优选为0.1mg/L~1g/L。

    镀液
    9.
    发明公开
    镀液 审中-实审

    公开(公告)号:CN118265814A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202380014609.1

    申请日:2023-06-26

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: C25D3/38

    摘要: 本发明提供一种能够进行光泽度高的镀覆的镀液。一种镀液,其包含金属离子和PEI化合物(L),该PEI化合物(L)具有聚乙烯亚胺主骨架并具有下述式(LX)所示的结构部分LX、下述式(LY)所示的结构部分LY和下述式(LH)所示的结构部分LH。式(LX)中,X为下述式(X1)所示的结构部分X1,i为1以上的整数。式(LY)中,Y为下述式(Y1)所示的结构部分Y1,j为1以上的整数。式(LH)中,k为0或1以上的整数。式(X1)中,A为C或S,E为一价金属离子、H、甲基、乙基或烯丙基,l为1~6的整数,m为1或2。式(Y1)中,G为CH2或CH(OH),n为0或4,Q1和Q2分别为H、吸电子性基团或供电子性基团。#imgabs0#

    等离子处理装置及方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108885983A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201680083905.7

    申请日:2016-05-30

    申请人: 株式会社JCU

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    CPC分类号: H01L21/304 H01L21/3065

    摘要: 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极,在喷吹面板(33)上连接负极,而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过,产生等离子。通过产生的等离子,将基板(11)的表面的污染物质除去。