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公开(公告)号：CN106470943A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580024938.X
申请日：2015-05-13
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/107 , B01J19/24
CPC分类号： C01B33/10763 , B01J10/00 , B01J19/24 , B01J19/2415 , C01B33/1071 , C01B33/10736
摘要： 本发明涉及一种以有效的方式由四氯硅烷制备三氯硅烷的设备。该设备包括：入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。
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公开(公告)号：CN107074561B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580049718.2
申请日：2015-07-03
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C01B33/035 , C01B33/03
摘要： 根据本发明，提供一种多晶硅制造装置，其包括：水平反应管，具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口，通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体，反应表面与源气体接触，开口形成在所述水平反应管的底部，用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出；以及第一加热设备，用于加热所述水平反应管的所述反应表面，其中，所述水平反应管包括一个或多个反应区域，各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域，所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外，还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。
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公开(公告)号：CN107074561A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049718.2
申请日：2015-07-03
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C01B33/035 , C01B33/03
CPC分类号： C01B33/03 , B01J12/005 , B01J12/007 , C01B33/035
摘要： 根据本发明，提供一种多晶硅制造装置，其包括：水平反应管，具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口，通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体，反应表面与源气体接触，开口形成在所述水平反应管的底部，用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出；以及第一加热设备，用于加热所述水平反应管的所述反应表面，其中，所述水平反应管包括一个或多个反应区域，各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域，所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外，还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。
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公开(公告)号：CN106458607B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201580024951.5
申请日：2015-05-11
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C01B33/027 , C01B33/035 , C30B29/06 , B01J19/00
摘要： 本发明涉及一种多晶硅生产装置。该装置包括：卧式反应管，其位于隔热管中，并具有：出口，通过其供应包含含硅反应气体和还原气体的气体原料，出口，通过其排出残余气体，与所述气体原料接触的反应表面，以及多个底部开口，通过其排出由所述气体原料的反应而产生的熔融多晶硅；设置在所述卧式反应管中以提供额外的反应表面的一个或多个内部构件；以及适于加热所述卧式反应管的反应表面的第一加热设备。本发明还涉及一种使用所述装置的多晶硅生产方法。
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公开(公告)号：CN108350602A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201780003659.4
申请日：2017-03-17
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C30B25/00 , C30B21/02 , C30B29/06 , H01L21/225 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/205
摘要： 根据本发明的用于制造多晶硅的方法能够以如下方式更有效地制造高纯度的多晶硅：在反应管的中心处形成高温高速气流，并且可以通过由高温高速气流形成的涡流形成高温区域，使得从反应管的侧壁供应的原料气体通过涡流的引导而流动，由此增加原料气体在反应管内的停留时间和反应时间。此外，由于反应管的内壁设置有放热装置，所以沉积在反应管的内壁上的硅晶体的快速冷却可以引起硅晶体在垂直于晶面的方向上凝固的柱状晶体，并且容易解吸通过经由反应管的内壁快速放热生产的硅晶体。
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公开(公告)号：CN108350602B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201780003659.4
申请日：2017-03-17
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C30B25/00 , C30B21/02 , C30B29/06 , H01L21/225 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/205
摘要： 根据本发明的用于制造多晶硅的方法能够以如下方式更有效地制造高纯度的多晶硅：在反应管的中心处形成高温高速气流，并且可以通过由高温高速气流形成的涡流形成高温区域，使得从反应管的侧壁供应的原料气体通过涡流的引导而流动，由此增加原料气体在反应管内的停留时间和反应时间。此外，由于反应管的内壁设置有放热装置，所以沉积在反应管的内壁上的硅晶体的快速冷却可以引起硅晶体在垂直于晶面的方向上凝固的柱状晶体，并且容易解吸通过经由反应管的内壁快速放热生产的硅晶体。
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公开(公告)号：CN106458607A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024951.5
申请日：2015-05-11
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C01B33/027 , C01B33/035 , C30B29/06 , B01J19/00
CPC分类号： C01B33/029 , B01J12/005 , B01J12/02 , B01J19/00 , B01J19/2415 , B01J2219/182 , C01B33/035
摘要： 本发明涉及一种多晶硅生产装置。该装置包括：卧式反应管，其位于隔热管中，并具有：出口，通过其供应包含含硅反应气体和还原气体的气体原料，出口，通过其排出残余气体，与所述气体原料接触的反应表面，以及多个底部开口，通过其排出由所述气体原料的反应而产生的熔融多晶硅；设置在所述卧式反应管中以提供额外的反应表面的一个或多个内部构件；以及适于加热所述卧式反应管的反应表面的第一加热设备。本发明还涉及一种使用所述装置的多晶硅生产方法。
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