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公开(公告)号:CN110168389B
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN201880006759.7
申请日:2018-09-06
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01R31/378 , G01R31/385
Abstract: 公开一种用于获取锂离子电池单体的劣化信息的装置和方法。根据一个实施例的装置估计与锂离子电池单体的第一健康状态相关的第一正电极使用区域。该装置估计与锂离子电池单体的第二健康状态相关的第二正电极使用区域。然后,该装置基于第一正电极使用区域和第二正电极使用区域计算从第一健康状态到第二健康状态的时间段内的锂离子电池单体的正电极的最大存储容量的变化量。
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公开(公告)号:CN108603918B
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN201780008464.9
申请日:2017-06-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01R31/36 , G01R31/385 , G01R31/388 , H01M10/48 , H01M10/44 , H01M10/0525
Abstract: 提供用于以非破坏性方式测试电池单体的电化学性能的装置和方法。根据本发明的一个实施例的装置包括:存储器,该存储器被配置为存储关于多个参考单体中的每一个通过初步实验事先确定的第一分布曲线数据、第二分布曲线数据、第一正极上限、第一正极下限、第一负极上限、以及第一负极下限;感测单元,该感测单元被配置为根据测试单体的充电状态(SOC)的变化测量测试单体的开路电压;以及控制单元,该控制单元与存储器和感测单元电连接。控制单元被配置为基于被存储在存储器中的关于参考单体的数据和通过感测单元测量到的数据以非破坏性方式测试测试单体的性能。
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公开(公告)号:CN110679056A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201880035326.4
申请日:2018-11-09
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H02J7/00 , G01R31/36 , G01R31/392 , H01M10/44
Abstract: 公开的是一种能够通过管理电池的充电来改善电池的寿命的技术。电池充电管理装置包括:劣化率估计单元,其被配置为估计二次电池的劣化率;上限计算单元,其被配置为基于由劣化率估计单元估计的劣化率来计算充电上限电压;充电控制单元,其被配置为控制二次电池的充电从而二次电池仅被充电至由上限计算单元计算的充电上限电压;和存储单元,其被配置为存储操作劣化率估计单元、上限计算单元和充电控制单元中的至少一个所需的信息。
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公开(公告)号:CN106099039A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610615993.2
申请日:2011-03-31
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01M4/13 , B60L50/64 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , Y02E60/122 , Y02T10/7005 , Y02T10/7011 , Y02T10/705
Abstract: 本发明公开了二次电池用正极、锂二次电池以及中型和/或大型电池组。所述正极包含如下物质的组合:选自由式1表示的化合物中的一种或多种化合物,以及选自由式2表示的化合物中的一种或多种化合物,xLi2MO3*(1‑x)LiM’O2 (1)(1‑u)LiFePO4*uC (2)其中M是选自具有+4氧化数的金属中的至少一种元素,M’是选自具有6配位结构并在层状结构中稳定的第一周期和第二周期的过渡金属中的至少一种元素;0
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公开(公告)号:CN102859764A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201180020929.5
申请日:2011-04-27
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/0525 , B60L11/18
CPC classification number: H01M4/485 , C01G53/50 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/525
Abstract: 本发明公开了一种二次电池用正极,其包含具有含锂的过渡金属层的化合物作为选自下式1中的至少一种化合物:(1-x)Li(LiyM1-y-zMaz)O2-bAb*xLi3PO4 (1),其中M是对六配位结构稳定的元素,其为选自属于第一周期元素和第二周期元素的过渡金属中的至少一种元素;Ma是对六配位结构稳定的金属或非金属元素;A是选自卤素、硫、硫属元素和氮中的至少一种;0
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公开(公告)号:CN112425026A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN201980047470.4
申请日:2019-10-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H02J7/04 , H01M10/44 , G01R31/3835
Abstract: 公开了一种用于控制二次电池的分步充电的装置和方法。充电控制单元确定二次电池的SOC、OCV和极化电压,确定和OCV与预定义最小OCV值之间的差相对应的OCV偏差,确定与极化电压和OCV偏差相对应的校正因子,通过根据校正因子校正SOC来确定查找SOC,确定与查找SOC相对应的充电电流的大小,并且将所确定的充电电流提供给充电设备。
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公开(公告)号:CN110168389A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201880006759.7
申请日:2018-09-06
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01R31/378 , G01R31/385
Abstract: 公开一种用于获取锂离子电池单体的劣化信息的装置和方法。根据一个实施例的装置估计与锂离子电池单体的第一健康状态相关的第一正电极使用区域。该装置估计与锂离子电池单体的第二健康状态相关的第二正电极使用区域。然后,该装置基于第一正电极使用区域和第二正电极使用区域计算从第一健康状态到第二健康状态的时间段内的锂离子电池单体的正电极的最大存储容量的变化量。
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公开(公告)号:CN107533112A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680022728.1
申请日:2016-09-08
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 提供了一种用于对二次电池进行钉子穿刺测试的设备和方法。用于进行所述钉子穿刺测试的设备包括:台架,将作为钉子穿刺测试的对象的二次电池固定在所述台架上;钉子穿刺单元,其包括钉子升/降装置;电压测量单元,其被配置为在钉子穿刺测试期间以时间间隔重复测量二次电池的短路电压;以及控制器,其操作地耦合至所述电压测量单元。控制器周期性地从所述电压测量单元接收短路电压,每当接收到短路电压时确定短路电流,该短路电流允许将接收到的短路电压施加在模型化二次电池的等效电路的最外层节点之间,并且通过显示单元在视觉上输出所确定的短路电流的值随时间的变化。
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公开(公告)号:CN103109401B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201180043709.4
申请日:2011-09-15
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525 , B60L11/18
CPC classification number: H01M4/525 , C01G53/50 , C01P2002/20 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/362 , H01M4/505 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种二次电池用正极活性材料,所述正极活性材料包含具有分层的晶体结构并由下式1表示的一种或多种复合物,在所述分层的晶体结构中过渡金属层以相对于过渡金属位点的总量小于20%的量含有Li,且位于锂层中的Ni相对于所述锂层中锂位点的总量的比例即阳离子混合比为1%~4.5%,以稳定支撑所述分层的晶体结构。(1?s?t)[Li(LiaMn(1?a?x?y)NixCoy)O2]*s[Li2CO3]*t[LiOH] (1)其中0
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公开(公告)号:CN110869784A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201980003414.0
申请日:2019-01-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01R31/367 , G01R31/392 , G01R31/382
Abstract: 本公开涉及用于基于预存储的半电池充电状态(SOC)-开路电压(OCV)曲线而估计反映二次电池的劣化率的SOC-OCV曲线的方法和设备。根据本公开的用于估计SOC-OCV曲线的设备包括:存储单元,其存储寿命开始(BOL)正电极半电池SOC-OCV曲线、BOL正电极可用范围、BOL负电极半电池SOC-OCV曲线、BOL负电极可用范围、BOL全电池SOC-OCV曲线和BOL全电池总容量;以及控制单元,其估计寿命中期(MOL)处的全电池SOC-OCV曲线。控制单元包括:可用范围确定模块,其被配置成当二次电池在二次电池处于MOL时在放电电压的下限与充电电压的上限之间被完全充电或完全放电时计算MOL全电池总容量,并且确定MOL正电极可用范围和MOL负电极可用范围,以使得MOL全电池总容量与BOL全电池总容量的比率等于MOL正电极可用范围与BOL正电极可用范围的比率以及MOL负电极可用范围与BOL负电极可用范围的比率中的每一个;以及曲线管理模块,其被配置成将与对应于MOL正电极可用范围的正电极半电池SOC-OCV曲线部分与对应于MOL负电极可用范围的负电极半电池SOC-OCV曲线部分之间的差相对应的差分曲线估计为MOL全电池SOC-OCV曲线,并将存储在存储单元中的BOL全电池SOC-OCV曲线更新为所估计的MOL全电池SOC-OCV曲线。
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