公开(公告)号：CN102714149B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

公开(公告)号：CN102576733B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080033821.5

申请日：2010-07-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 滨野邦幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02678 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供包含截止电流小、电位保持特性优异、消耗功率低的同时动作速度也快的低温多晶硅晶体管的薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法及使用它的液晶显示装置。该薄膜晶体管是在玻璃基板上形成栅电极、栅极绝缘膜、沟道区、源/漏电极的反交错结构的薄膜晶体管。该沟道区由多晶硅膜和覆盖该多晶硅膜的上表面及侧面的a-Si:H膜构成。

公开(公告)号：CN102576733A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080033821.5

申请日：2010-07-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 滨野邦幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02678 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供包含截止电流小、电位保持特性优异、消耗功率低的同时动作速度也快的低温多晶硅晶体管的薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法及使用它的液晶显示装置。该薄膜晶体管是在玻璃基板上形成栅电极、栅极绝缘膜、沟道区、源/漏电极的反交错结构的薄膜晶体管。该沟道区由多晶硅膜和覆盖该多晶硅膜的上表面及侧面的a-Si:H膜构成。

公开(公告)号：CN103038862B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180026308.8

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  滨野邦幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。

公开(公告)号：CN103038862A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180026308.8

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  滨野邦幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。

公开(公告)号：CN102714149A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。