公开(公告)号：CN102687246A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080048061.5

申请日：2010-08-25

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  R·卡尔特 ,  A·黑尔米希 ,  B·雷梅尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02244 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

摘要： 在半导体装置中，形成薄硅氮基材料之后通过暴露材料至氧等离子体（110）可以增加氮化钛材料（152）的完整性。该氧等离子体（110）可导致通过硅氮基材料未适当的覆盖的任何细微表面部份的额外的钝化。所以，额外的钝化之后，没有不必要的氮化钛材料（152）材料损失而可以进行高效清洁配方(例如在扫描式探针显微镜（SPM）的基础上的清洁工艺(111))进行。以此方式，高效清洁工艺的基础上，精密的高K金属栅堆叠栅极可形成有非常薄的保护衬垫材料，而不会在早期製造阶段过度导致显着的产量损失。

公开(公告)号：CN102687246B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080048061.5

申请日：2010-08-25

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  R·卡尔特 ,  A·黑尔米希 ,  B·雷梅尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02244 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

摘要： 在半导体装置中，形成薄硅氮基材料之后通过暴露材料至氧等离子体（110）可以增加氮化钛材料（152）的完整性。该氧等离子体（110）可导致通过硅氮基材料未适当的覆盖的任何细微表面部份的额外的钝化。所以，额外的钝化之后，没有不必要的氮化钛材料（152）材料损失而可以进行高效清洁配方(例如在扫描式探针显微镜（SPM）的基础上的清洁工艺(111))进行。以此方式，高效清洁工艺的基础上，精密的高K金属栅堆叠栅极可形成有非常薄的保护衬垫材料，而不会在早期製造阶段过度导致显着的产量损失。