公开(公告)号：CN108574008A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711011586.1

申请日：2017-10-26

申请人： 格芯公司

发明人： J·辛格 ,  朱宝富

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/107 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6625

摘要： 本发明涉及高压和模拟双极器件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及高压、模拟双极器件以及制造方法。该结构包括：形成在衬底中的基极区；形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的集电极区；以及形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的发射极区。