公开(公告)号：CN103650145B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280033354.5

申请日：2012-06-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R·卡米洛-卡斯蒂洛 ,  P·B·格雷 ,  D·L·哈拉梅 ,  A·J·约瑟夫 ,  M·H·卡特 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322

摘要： 本申请涉及具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管。用于制造双极结型晶体管的方法、通过该方法制作的双极结型晶体管以及用于双极结型晶体管的设计结构。双极结型晶体管（80）包括内部基极（84）上的介电层（32）以及通过介电层与内部基极至少部分隔开的外部基极（82）。发射极开口（52）延伸通过外部基极和介电层。介电层相对于发射极开口横向凹陷，以在内部基极和外部基极之间限定腔体（60a、60b）。该腔体利用物理链接外部基极和内部基极的半导体层（64）填充。

公开(公告)号：CN102742016B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200980162723.9

申请日：2009-10-02

申请人： 天工方案公司

发明人： 李斌 ,  P.J.赞帕蒂 ,  A.G.梅茨格

IPC分类号： H01L29/93

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/10 ,  H01L29/107

摘要： 一种变容器包括：与双极结晶体管（BJT）的至少一部分集成的场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。

公开(公告)号：CN102714143B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080060769.2

申请日：2010-12-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大塚健一 ,  黑田研一 ,  渡边宽 ,  油谷直毅 ,  炭谷博昭

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/66068 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872

摘要： 提供一种碳化硅外延片以及碳化硅半导体元件，可提高外延生长层的晶体质量，在形成厚膜的外延生长层时也不会使载流子移动性降低，且元件电阻低。碳化硅半导体元件（101）具有：n型碳化硅基板（1），以浓度C掺杂了氮那样的通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；n型碳化硅外延生长层（3），以比碳化硅基板小的浓度掺杂了与碳化硅基板（1）相同的掺杂物；和n型缓冲层，在碳化硅基板（1）与碳化硅外延层（3）之间掺杂了所述掺杂物。缓冲层（2）以层叠了2层以上的相同厚度的层而成的多层构造形成，相对多层构造的层数N，从碳化硅外延层（3）侧起第K个层的掺杂浓度成为C·K/（N+1）。

公开(公告)号：CN107978509A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710980349.X

申请日：2017-10-19

申请人： 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

发明人： 北村寿朗 ,  柴田真佐知 ,  吉田丈洋

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  C30B29/40 ,  C30B25/20

CPC分类号： H01L21/02032 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/352 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/40 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B33/04 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/02008 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L29/107 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： 本发明涉及第III族氮化物衬底的制造方法及第III族氮化物衬底。本发明要解决的课题是提高第III族氮化物衬底的品质。本发明的解决手段为一种第III族氮化物衬底的制造方法，其具有下述工序：准备衬底的工序，所述衬底由第III族氮化物的晶体形成，且具有较之晶体的母相而言氧浓度更大的高氧浓度区域；穿孔工序，对准高氧浓度区域而向衬底照射激光，形成在厚度方向上贯穿衬底的贯穿孔，将高氧浓度区域中的至少一部分从衬底除去；和埋入工序，在贯穿孔的内部使第III族氮化物的晶体生长，将贯穿孔的内部的至少一部分掩埋。

公开(公告)号：CN105185825A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510244757.X

申请日：2015-05-14

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 马督儿·博德 ,  胡军 ,  管灵鹏 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  张磊 ,  金钟五

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/66325 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/7393

摘要： 半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN103650145A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033354.5

申请日：2012-06-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R·卡米洛-卡斯蒂洛 ,  P·B·格雷 ,  D·L·哈拉梅 ,  A·J·约瑟夫 ,  M·H·卡特 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322

摘要： 本发明涉及具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管。用于制造双极结型晶体管的方法、通过该方法制作的双极结型晶体管以及用于双极结型晶体管的设计结构。双极结型晶体管（80）包括内部基极（84）上的介电层（32）以及通过介电层与内部基极至少部分隔开的外部基极（82）。发射极开口（52）延伸通过外部基极和介电层。介电层相对于发射极开口横向凹陷，以在内部基极和外部基极之间限定腔体（60a、60b）。该腔体利用物理链接外部基极和内部基极的半导体层（64）填充。

公开(公告)号：CN102779806A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210057516.0

申请日：2012-03-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈国基 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 拼接单元，包括：阱区域；阱区域上的阱拾取区域；VDD导电轨；VSS导电轨；以及第一MOS电容器，电容器包括作为第一电容器极板的第一栅电极线，以及作为第二电容器极板的部分的第一阱拾取区域，其中第一电容器极板和第二电容器极板中的一个连接至VDD导电轨，并且第一电容器极板和第二电容器极板中的另一个连接到VSS导电轨。本发明还提供了为拼接单元加入去耦功能。

公开(公告)号：CN102742016A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200980162723.9

申请日：2009-10-02

申请人： 天工方案公司

发明人： 李斌 ,  P.J.赞帕蒂 ,  A.G.梅茨格

IPC分类号： H01L29/93

CPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/10 ,  H01L29/107

摘要： 一种变容器包括：与双极结晶体管（BJT）的至少一部分集成的场效应晶体管（FET），其中FET的背栅与BJT的基极共享电连接，并且其中施加到FET的背栅的反向电压在FET的沟道中产生连续可变电容。

公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

摘要： 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN108574008A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711011586.1

申请日：2017-10-26

申请人： 格芯公司

发明人： J·辛格 ,  朱宝富

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/107 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6625

摘要： 本发明涉及高压和模拟双极器件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及高压、模拟双极器件以及制造方法。该结构包括：形成在衬底中的基极区；形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的集电极区；以及形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的发射极区。