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公开(公告)号：CN106835242B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710064972.0
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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公开(公告)号：CN106757120B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710064967.X
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号：CN106835242A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710064972.0
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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公开(公告)号：CN108374167B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN108374167A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN105670634A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610106966.2
申请日：2016-02-28
申请人： 桂林理工大学
CPC分类号： C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/007
摘要： 本发明公开了一种有机液相法可控制备CdSe量子点的方法。（1）在氩气保护下，将0.316 g硒粉和3.528g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将20mL浓度为 0.03mol/L 的Cd(NO3)2·4H2O溶液和10mL分析纯甘油加入到三口烧瓶中混合均匀。（3）在步骤（2）所得溶液中加入6mL分析纯油酸、30mL分析纯 NMP、5mL~20mL浓度为 0.01mol/L的Na2EDTA、5mL~20mL 浓度为0.03mol/L的SDBS混合均匀。（4）置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15~20mL Na2SeSO3溶胶，在氩气保护下恒温反应回流10~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，最显著的特点是有机相法合成CdSe量子点，分散性好、工艺简单、易存储、无污染、可控性高。
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公开(公告)号：CN106591922B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710064971.6
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： C25D11/34
摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L N2H4.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN105753034B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201610106968.1
申请日：2016-02-28
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： C01G3/02
摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN106757120A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710064967.X
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
CPC分类号： C25B1/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/883
摘要： 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号：CN106591922A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710064971.6
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： C25D11/34
CPC分类号： C25D11/34
摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值 0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
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