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公开(公告)号：CN113759227B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110975862.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的检测方法，包括：对待测功率器件进行扫频处理；获取待测功率器件各端子的等效阻抗参数；根据预设的判断规则，确定待测功率器件的损伤情况；其中，等效阻抗参数包括：等效电阻、等效电容、等效电感。本发明所提供的功率器件的检测方法，通过扫频处理获取待测功率各端子的等效阻抗参数后，可直接通过预设的判断规则对待测功率器件各方面的损伤情况进行有效准确的判定，无需对功率器件进行带电导通工作，无需设计专门的测试电路或测试系统，无需对功率器件进行开封，满足了可靠性检测、快速性检测、通用性检测、无损性检测的需求。
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公开(公告)号：CN113764357B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110883910.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种导电模块的封装结构，导电模块的封装结构包括：导电模块的封装结构包括：基板，具有上表面和与上表面相对设置的下表面，基板还包括侧面；模块电路，设置在上表面上；下表面焊盘组件，设置在下表面上；侧面导电层，设置在侧面上，侧面导电层与模块电路和下表面焊盘组件连接，模块电路通过侧面导电层与下表面焊盘组件导通。封装结构省去了下表面设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题；这样使得本申请中的封装结构具有产生的杂散电容较小，能够运用于高频领域的优点。实现了降低导电模块的封装结构的杂散电感和寄生电感。
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公开(公告)号：CN116735653A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310394674.3
申请日：2023-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点电迁移测试系统和方法，所述包括差示扫描量热仪、计算机、直流电源、冷却组件和防氧化组件。差示扫描量热仪用于对微焊点温度场加载和调控，计算机用来记录和观察样品端和参比端的热流功率差随温度或时间的变化过程并施加控制，直流电源用于对微焊点的电场加载和调控，冷却组件用来对微焊点进行降温，防氧化组件用来保护加热体和防止微焊点氧化。所述方法包括：测试焊料的熔化温度和凝固温度；制备不同类型的微焊点；将微焊点固定在陶瓷坩埚中；将微焊点加热或降温到某一特定温度后通入直流电流、保温；完成微焊点的电迁移测试。本发明可实现对微焊点在不同电流强度和温度的电‑热耦合场作用下的电迁移实验。
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公开(公告)号：CN116606636A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310580422.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于液态金属增强传热的复合热界面材料及其制备方法，由镓基液态金属增强导热垫片以及设置在镓基液态金属增强导热垫片上下面以及四周的封装垫片组成；镓基液态金属增强导热垫片是由小粒径混合物料颗粒铺平后压制成型，再均匀填充高分子聚合物并交联固化所得；封装垫片是将高分子聚合物与导热填料搅拌均匀，得混合物料；采用成型工艺将混合物料固定在镓基液态金属增强导热垫片的上下以及四周，再将高分子聚合物交联固化所得；本发明封装垫片能够防止内部液态金属从上下方及四周渗漏，避免液态金属与散热基底的直接接触，从而消除液态金属造成短路和腐蚀问题，提高传热的可靠性。
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公开(公告)号：CN117066619A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310977944.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K1/00 , C21D9/50 , C22F1/16 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开一种微电子用Sn58Bi钎料合金微互连焊点的时效强化工艺，采用了时效强化工艺处理手段，通过探索微互连焊点在时效温度和时间变化情况下的力学性能，归纳总结出微互连焊点时效强化的时效温度和时效时间，即微互连焊点在120℃时效300h‑480h后经自然冷却，可得到强度提升的微互连焊点。本发明实现了通过调控微互连焊点中Bi相的存在状态及形态等来提升微互连焊点的剪切强度，为提升工业钎料合金热处理和电子产品可靠性提供参考，同时为电子工业带来更大的经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564828A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310579919.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种基于低感叠层电路的高频功率芯片封装方法，属于功率半导体封装领域。本发明通过设置第一和第二绝缘层以及电气连接窗口并采用板级平面互连技术构造模块的第一、第二、第三电路层，使第一、第二与第三电路层之间实现垂直电气互连，构造叠层正负功率回路。基于平板级平面互连方法的叠层电路设计不仅可以缩短正负功率回路距离，利用磁场相消原理降低回路的寄生电感，还可有效降低叠层封装的工艺难度与成本，提高封装效率。
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公开(公告)号：CN113764357A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110883910.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种导电模块的封装结构，导电模块的封装结构包括：导电模块的封装结构包括：基板，具有上表面和与上表面相对设置的下表面，基板还包括侧面；模块电路，设置在上表面上；下表面焊盘组件，设置在下表面上；侧面导电层，设置在侧面上，侧面导电层与模块电路和下表面焊盘组件连接，模块电路通过侧面导电层与下表面焊盘组件导通。封装结构省去了下表面设置的导电层以及相关的元器件，这样避免了DBC陶瓷基板上下表面均设置导电层以及相关的元器件所导致的导体之间存在较大的杂散电容的问题；这样使得本申请中的封装结构具有产生的杂散电容较小，能够运用于高频领域的优点。实现了降低导电模块的封装结构的杂散电感和寄生电感。
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公开(公告)号：CN113984829B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111239076.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开一种通电下薄膜材料热膨胀系数的测试装置及测试方法，包括控温加热炉、底座、固定石英管、活动石英管、活动推杆、自平衡机构、位移传感器、计算机以及用于夹持薄膜材料试样两端的下活动夹具和上活动夹具，电源、第一铜丝、薄膜材料试样和第二铜丝形成电回路，用计算机和控温加热炉在一定的温度范围进行测试，计算机用于显示薄膜材料试样的应变‑温度曲线，通过计算曲线线型段的斜率即可获得其热膨胀系数。本发明可实现对薄膜材料在电流作用下的热膨胀系数进行测量，弥补了现有技术只能在非电场环境下测量薄膜材料热膨胀系数的不足，因此具有一定的工程和科学意义，应用前景广泛，测试装置简单，测试方法易实现。
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公开(公告)号：CN115791427A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211089345.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电流作用下阻尼材料的高温激活能测试方法及蠕变机制预测方法，高温激活能测试方法包括：将目标阻尼材料制成预设尺寸规格的待测样品；将待测样品安装固定于阻尼材料测试平台上；利用阻尼材料测试平台对待测样品进行电流作用下的阻尼测试，以得到待测样品在一定电流密度和激振频率下随温度变化的阻尼值；基于测试得到的阻尼值利用预先构建的阻尼材料的高温激活能计算模型计算得到一定电流密度下阻尼材料的高温激活能。本发明能够对阻尼材料在一定电流密度、温度、激振频率下的高温激活能进行定量描述，以及对阻尼材料在一定电流密度的电流作用下的蠕变机制进行快速预测。因此，本发明的提出有一定的科学和工程意义。
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公开(公告)号：CN115684861A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211396095.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种检测组件、检测仪器和检测方法。检测组件与扫频组件相连接，用于检测功率器件在不同频率下的阻抗变化，检测组件包括夹持组件、接地探针和至少一个检测探针；夹持组件包括第一夹持部和第二夹持部，第一夹持部的一端与第二夹持部的一端相连接；接地探针穿设于第一夹持部；至少一个检测探针穿设于第二夹持部，与接地探针并列设置，能够和功率器件相连接；其中，第一夹持部和第二夹持部能够相对滑动，以使接地探针与至少一个检测探针相对远离或靠近。
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