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公开(公告)号：CN115036428B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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公开(公告)号：CN114447234A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN115036428A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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公开(公告)号：CN114447234B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN115498114A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210800381.6
申请日：2022-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，且公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池阴极界面强化处理材料、方法及应用，包括以下步骤：步骤1.制备有机无机杂化钙钛矿薄膜、电子传输层；步骤2.在电子传输层上插入2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]材料及其衍生物的一种或几种混合的阴极界面强化层,本发明与现有技术相比具有更好的稳定性和器件的使用寿命，阴极界面强化层中含有氮杂环，能够化学吸附并配位作用在金属电极上，够抑制金属电极在Cl‑、Br‑、I‑等卤素环境中的电化学腐蚀，提高金属电极的防腐蚀性能，抑制由电极腐蚀所引发的钙钛矿电池的效率衰减。与此同时，阴极界面强化层可以消除界面势垒，提高载流子传输。提升器件性能与寿命。
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