公开(公告)号：CN115036428B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210435522.9

申请日：2022-04-24

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 熊健 ,  戴骏乾 ,  刘乃赫 ,  刘伟之 ,  张永松 ,  黄肖莹 ,  许云飞 ,  黄瑜 ,  张哲泠 ,  张坚

IPC分类号： H10K85/10 ,  H10K71/12 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40

摘要： 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。

公开(公告)号：CN115036428A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210435522.9

申请日：2022-04-24

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 熊健 ,  戴骏乾 ,  刘乃赫 ,  刘伟之 ,  张永松 ,  黄肖莹 ,  许云飞 ,  黄瑜 ,  张哲泠 ,  张坚

IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。