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公开(公告)号:CN118251095A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410247501.3
申请日:2024-03-05
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供了一种可印刷介观钙钛矿太阳能电池及其界面后处理方法,其中可印刷介观钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的透明导电电极、空穴阻挡层、介孔电子传输层、介孔绝缘间隔层和介孔碳电极层;界面后处理方法包括:将钙钛矿前驱体溶液沉积到层状结构骨架中,经退火得到可印刷介观钙钛矿太阳能电池;取界面后处理材料覆在介孔碳电极表面并渗透至层状结构骨架中,并与钙钛矿材料接触,经室温静置或高温退火得到界面后处理的可印刷介观钙钛矿太阳能电池。该方法能够显著提升太阳能电池的能量转换效率,并且界面后处理工艺简便,解决了现有的可印刷介观钙钛矿太阳能电池光电性能不佳与制备工艺复杂的技术问题。
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公开(公告)号:CN115036428B
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202210435522.9
申请日:2022-04-24
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明属于光电薄膜技术领域,具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低,薄膜质量差,易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低;改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌,界面接触,消除了钙钛矿薄膜孔洞,经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11%,且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99%。
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公开(公告)号:CN118184958A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410429529.9
申请日:2024-04-10
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明涉及高分子材料技术领域,公开了一种具有自修复功能的高分子材料及其制备方法和应用。本发明具有自修复功能的高分子材料的制备方法,包括以下步骤:步骤一、将异佛尔酮二异氰酸酯和聚醚二元醇预混合,之后加入三羟甲基丙烷和二羟甲基丙酸,回流,得到高分子量聚氨酯树脂;步骤二、将磷酸亚二乙酯加入到步骤一得到的高分子量聚氨酯树脂中,混合均匀后滴加硫醇,得到含有巯基的水性聚氨酯;步骤三、将碘化钠的过氧化氢溶液加入到步骤二得到的含有巯基的水性聚氨酯中,反应,得到含有双硫键的水性聚氨酯;步骤四、在步骤三得到的含有双硫键的水性聚氨酯中滴加金属离子氨络合物,得到含双硫键、锌离子的水性聚氨酯,即所述具有自修复功能的高分子材料。本发明制备的自修复高分子材料具有良好的低温、高效率修复功能,且自修复前后力学性能无明显变化,机械性能良好。
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公开(公告)号:CN114447234A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202210017858.3
申请日:2022-01-07
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用,包括:步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜;步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理;步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效,该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染,适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号:CN118027631A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410226679.X
申请日:2024-02-29
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供了一种高透明性高延展性的双向拉伸聚左旋乳酸薄膜及其原料组合物与制备方法。该薄膜的原料组合物包括:聚左旋乳酸(PLLA)80‑100wt%;增韧剂0‑20wt%;以及占PLLA、增韧剂质量之和5wt%以下的扩链剂、10wt%以下的增塑剂和5wt‰以下的成核剂。本发明还提供了PLLA薄膜的制备方法,包括:将原料组合物混匀,经流延挤出得到PLLA铸片;对铸片进行双向拉伸,得到PLLA薄膜。本发明还提供了上述方法制备的PLLA薄膜。本发明的高透明性高延展性的双向拉伸PLLA薄膜能够解决目前市面上PLLA薄膜生产过程中延展性低、厚度均匀性差,增韧改性后透明性雾度不佳等缺陷问题。
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公开(公告)号:CN116390612A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310393823.4
申请日:2023-04-13
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供一种可印刷介观钙钛矿太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池具有层状结构骨架,本发明通过向前驱体溶液中添加醇醚,有效提高前驱体溶液的渗透性,进而显著提高太阳能电池的填充因子、短路电流和稳定性,解决现有的钙钛矿前驱体在多孔膜骨架中填充不充分导致光电性能不佳的技术问题。
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公开(公告)号:CN115036428A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210435522.9
申请日:2022-04-24
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明属于光电薄膜技术领域,具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低,薄膜质量差,易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低;改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌,界面接触,消除了钙钛矿薄膜孔洞,经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11%,且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99%。
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公开(公告)号:CN112480631A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011359632.9
申请日:2020-11-27
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种聚合物刷改性的聚碳酸亚丙酯复合膜及其制备方法,该方法包括以下步骤:以纳米SiO2为内核,以聚甲基丙烯酸甲酯外刷制备聚合物刷;先将聚碳酸亚丙酯溶于有机溶剂中,然后加入聚合物刷,混合体系搅拌一定时间后置于聚四氟乙烯模具中,经干燥后得到聚合物刷改性的聚碳酸亚丙酯复合膜。本发明制备的复合膜热学性能和力学性能均有明显提升,且改性填料的分散性较好。
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公开(公告)号:CN114447234B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202210017858.3
申请日:2022-01-07
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用,包括:步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜;步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理;步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效,该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染,适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号:CN115498114A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210800381.6
申请日:2022-07-06
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明涉及光伏电池技术领域,且公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池阴极界面强化处理材料、方法及应用,包括以下步骤:步骤1.制备有机无机杂化钙钛矿薄膜、电子传输层;步骤2.在电子传输层上插入2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]材料及其衍生物的一种或几种混合的阴极界面强化层,本发明与现有技术相比具有更好的稳定性和器件的使用寿命,阴极界面强化层中含有氮杂环,能够化学吸附并配位作用在金属电极上,够抑制金属电极在Cl‑、Br‑、I‑等卤素环境中的电化学腐蚀,提高金属电极的防腐蚀性能,抑制由电极腐蚀所引发的钙钛矿电池的效率衰减。与此同时,阴极界面强化层可以消除界面势垒,提高载流子传输。提升器件性能与寿命。
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