公开(公告)号：CN104377239B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201410373778.7

申请日：2014-07-31

申请人： 富士通株式会社

发明人： 西森理人 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：构造成形成在衬底上的电子渡越层；构造成形成在电子渡越层上的电子供给层；构造成形成在电子供给层上的上表面层；构造成形成在电子供给层或上表面层上的栅电极；构造成形成在上表面层上的源电极和漏电极；以及构造成在形成源电极和漏电极的区域正下方的上表面层和电子供给层中形成的第一导电类型区域。电子供给层由包含In的氮化物半导体形成。上表面层由包括氮化物的材料形成，所述氮化物是选自B、Al和Ga中的一种或更多种元素的氮化物。

公开(公告)号：CN106601804A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510667042.5

申请日：2015-10-15

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 肖德元 ,  张汝京

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/42356

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的锗纳米线；包围在锗纳米线四周的第一III-V化合物层；依次包围在部分所述第一III-V化合物层四周的势垒层、栅介质层和栅电极；以及位于所述第一III-V化合物层上，并分别位于所述栅电极两侧的源区和漏区。本发明，势垒层的禁带宽度大于第一III-V化合物层的禁带宽度，并且，势垒层和第一III-V化合物层的能带弯曲不同，使得在第一III-V化合物层靠近势垒层的界面处形成二维电子气，二维电子气迁移率较高，从而场效应晶体管具有更好的电学性能。此外，场效应晶体管为栅极全包围的器件，提高场效应晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN105070681A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510522304.9

申请日：2015-08-24

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 李海鸥 ,  吉宪 ,  李琦 ,  高喜 ,  首照宇 ,  肖功利 ,  黄伟 ,  丁志华

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/265 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/7605 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/762 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。

公开(公告)号：CN104584219A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380045133.4

申请日：2013-06-12

申请人： 英特尔公司

发明人： S·达斯古普塔 ,  H·W·田 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  N·慕克吉 ,  N·戈埃尔 ,  S·卡贝希 ,  S·H·宋 ,  R·皮拉里塞泰 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2233 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 实施例包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。在实施例中，栅极电极与源极和漏极半导体区间隔不同的距离，以提供高击穿电压和低导通状态电阻。在实施例中，自对准技术用于在沟槽中以及在中间芯体之上形成电介质衬垫，从而利用单掩模操作来独立地限定栅极长度、栅极-源极长度以及栅极-漏极长度。在实施例中，Ⅲ-N HEMT包括用于阈值电压调谐和/或增强模式操作的氟掺杂的半导体势垒层。

公开(公告)号：CN102651385B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110451784.6

申请日：2011-12-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 美浓浦优一 ,  吉川俊英 ,  多木俊裕

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

摘要： 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。

公开(公告)号：CN103715256A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310738017.2

申请日：2013-12-27

申请人： 苏州晶湛半导体有限公司

发明人： 程凯 ,  陈洪维

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明公开了一种基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法，所述器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构，以及在外延多层结构上形成的栅极、源极和漏极；在所述栅极下方的异质结结构层中采用隧道注入的方法注入有氟离子，用于耗尽异质结结构层中的二维电子气。本发明通过在栅极下方的外延多层结构中用隧道注入的方法进行氟离子注入，耗尽栅极下异质结处的二维电子气，从而实现增强型的氮化镓器件。同时，通过高温退火去除不稳定的氟离子，并恢复晶格在氟离子注入时引起的损伤，采用晶态介质层对高温退火时的氮化物材料表面进行保护。

公开(公告)号：CN101611473B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780049403.3

申请日：2007-11-01

申请人： 克里公司

发明人： S·T·舍帕德 ,  A·V·苏沃罗夫

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

摘要： 制造半导体器件的方法包括：形成具有第一掺杂剂浓度的第一导电类型的第一半导体层；以及在第一半导体层上形成第二半导体层。第二半导体层具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。将离子注入第二半导体层，以便形成贯穿第二半导体层以接触第一半导体层的第一导电类型的注入区。第一电极在第二半导体层的注入区上形成，以及第二电极在第二半导体层的非注入区上形成。还论述了相关器件。

公开(公告)号：CN102468166A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010532062.9

申请日：2010-10-29

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/32

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述栅极电介质下方的沟道区；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错，该组位错包含至少两个位错。

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大部功 ,  梅本康成 ,  柴田雅博 ,  那仓健一

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60

CPC分类号： H03F1/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

公开(公告)号：CN102376840B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110022196.0

申请日：2011-01-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄泓文 ,  夏兴国 ,  邱清华

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/2654 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。