公开(公告)号：CN101689551B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880019869.3

申请日：2008-04-10

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： K-J·夏 ,  C·李 ,  C·派蒂

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/868

摘要： 本发明公开了一种使用镶嵌制造技术形成三维、非易失性存储器阵列的方法。形成一组底层导体并且在其上形成一组重掺杂半导体材料的第一柱形元件。绝缘材料形成的塑模具有与第一柱形元件自对准的柱形开口并且第二半导体材料被沉积在塑模上以形成与第一柱形元件对准的第二柱形元件。形成的柱形元件可以通过形成另一个具有与柱形元件对准的沟槽开口的绝缘材料塑模被进一步处理，然后使用导电材料填充沟槽以形成耦合到柱形元件的导体。

公开(公告)号：CN101689551A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880019869.3

申请日：2008-04-10

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： K-J·夏 ,  C·李 ,  C·派蒂

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/868

摘要： 本发明公开了一种使用镶嵌制造技术形成三维、非易失性存储器阵列的方法。形成一组底层导体并且在其上形成一组重掺杂半导体材料的第一柱形元件。绝缘材料形成的塑模具有与第一柱形元件自对准的柱形开口并且第二半导体材料被沉积在塑模上以形成与第一柱形元件对准的第二柱形元件。形成的柱形元件可以通过形成另一个具有与柱形元件对准的沟槽开口的绝缘材料塑模被进一步处理，然后使用导电材料填充沟槽以形成耦合到柱形元件的导体。