公开(公告)号：CN102484119B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080029635.4

申请日：2010-06-10

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： X·陈 ,  H·徐 ,  C·潘

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  H01L27/102

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： 非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。

公开(公告)号：CN102347080B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110196968.2

申请日：2011-07-14

申请人： 美国博通公司

发明人： 迈伦·布尔

IPC分类号： G11C17/16

CPC分类号： G11C17/165 ,  G11C17/14 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L28/24 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及存储元件以及内存结构，实施例扩展了熔丝元件、反熔丝元件以及其结合使能多次可编程存储元件的能力。因此，实施例显著降低了存储元件的面积要求和控制电路复杂性。实施例可以在例如非易失的存储器中使用，并且适合于在片上系统(SoC)的产品中使用。

公开(公告)号：CN103918085A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280051187.7

申请日：2012-10-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 山本浩贵

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L23/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/067 ,  H01L27/0722 ,  H01L27/1021 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/866 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供一种芯片二极管以及具备该芯片二极管的二极管封装件，即使对与外部电连接用的焊盘施加较大的应力，也能够防止形成在半导体层的pn结的破坏，或者抑制特性变动。芯片二极管(15)包括：外延层(21)，其形成了构成二极管元件(29)的pn结(28)；阳极电极(34)，其沿外延层(21)的表面(22)而配置，与作为pn结(28)的p侧极的二极管杂质区域(23)电连接，并且具有与外部电连接用的焊盘(37)；和阴极电极(41)，其与作为pn结(28)的n侧极的外延层(21)电连接，在芯片二极管(15)中，将焊盘(37)设置在离开了pn结(28)的正上方位置的位置。

公开(公告)号：CN102349154B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080011567.9

申请日：2010-02-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 刘峻 ,  迈克尔·P·瓦奥莱特

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/72 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66136 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608

摘要： 一些实施例包含具有存储器装置的设备及方法，所述存储器装置具有耦合到存储器元件的二极管。每个二极管可形成于所述存储器装置的凹入部中。所述凹入部可具有多边形侧壁。所述二极管可包含形成于所述凹入部内的第一导电性类型(例如，n型)的第一材料及第二导电类型(例如，p型)的第二材料。

公开(公告)号：CN102037561B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980118161.8

申请日：2009-04-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元包含存储器组件，所述存储器组件具有：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间。所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。其它实施例包含包括金属及电介质材料的二极管以及与所述二极管串联连接的存储器组件。所述存储器组件包含磁阻材料且具有可经由经传导穿过所述二极管及所述磁阻材料的电流改变的电阻。

公开(公告)号：CN101150130B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200710128760.0

申请日：2007-07-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪坤发 ,  王琳松

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括：半导体基板；第一介电层，设置于该半导体基板上，具有沿第一方向的第一导线，其中该第一导线的顶表面比该第一介电层的顶表面低；第二介电层，位于该第一介电层上，包括对应第一二极管构件的开口；以及半导体二极管元件，包括设置于该第一导线上的该第一二极管构件以及填入该开口中的第二二极管构件与第三二极管构件，其中该第一二极管构件的顶表面与该第一介电层的顶表面齐高。本发明能够避免PIN二极管在柱状结构中掀离并扩大工艺窗口以提升工艺成品率。

公开(公告)号：CN101794806B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201010002862.X

申请日：2010-01-21

申请人： 索尼公司

发明人： 佐佐木正义

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24

摘要： 本发明提供一种交叉点型半导体存储装置及其制造方法。该交叉点型半导体存储装置包括：多个第一布线，沿第一方向延伸；多个第二布线，位于与第一布线不同的层上以沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及存储部，设置在第一布线与第二布线的交叠区域中，其中奇数编号的第一布线和偶数编号的第一布线布置在上下方向不同的层间绝缘层上。

公开(公告)号：CN102067315B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980122197.3

申请日：2009-06-02

申请人： 桑迪士克3D有限责任公司

发明人： 夏堪杰 ,  克里斯托弗·J·佩蒂 ,  卡尔文·K·李

IPC分类号： H01L27/102

CPC分类号： H01L27/1021

摘要： 提供了一种集成电路及及其制造方法，该集成电路包括导体之间垂直取向的二极管结构。二端子装置例如无源元件存储器单元可以包括与反熔丝和/和其它状态改变元件串连的二极管操纵元件。所述装置使用柱结构在所述上和下导体组的交点形成。所述柱结构的高度通过每个柱的部分二极管与导体的其中之一形成叠轨式堆叠而被减小。在一实施例中，二极管可以包括第一导电类型的第一二极管器件和第二导电类型的第二二极管器件。所述二极管器件其中之一的一部分被划分为第一和第二部，所述部的其中之一形成为叠轨式堆叠，该部在该叠轨式堆叠与使用柱形成的其它二极管共享该叠轨式堆叠。

公开(公告)号：CN101904008B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880117519.0

申请日：2008-09-26

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： Y·塔纳卡 ,  S·J·拉迪干 ,  U·拉古拉姆

IPC分类号： H01L27/102

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： 一种半导体晶片组件包括电介质基底。在其上方沉积硅层。在硅上方沉积金属硬掩模。在金属硬掩模上方沉积电介质硬掩模。在电介质硬掩模上方沉积光刻胶，由此多个牺牲柱由穿过光刻胶的金属硬掩模层形成，以便牺牲柱从硅层延伸出。界面层被设置在导电材料层和硬掩模层之间以增强多个牺牲柱中的每一个与导电材料层之间的粘合，从而通过防止由于牺牲柱脱落或跌落而使多个牺牲柱过早地从硅层上脱离来优化由硅形成结型二极管。

公开(公告)号：CN101501852B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780029756.7

申请日：2007-11-16

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 高木刚 ,  三河巧

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明呈如下结构：在衬底(12)上形成有由金属氧化物材料构成的可变电阻膜(14)被下部电极(13)和上部电极(15)夹着的电阻变化元件(16)；和与该电阻变化元件(16)连接、阻挡层(18)被下部的第一电极层(17)和上部的第二电极层(19)夹着的整流元件(20)。并且，构成为电阻变化元件(16)和整流元件(20)在可变电阻膜(14)的厚度方向上串联连接，阻挡层(18)是具有氢阻隔性的阻隔层。