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公开(公告)号：CN108028316A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052536.5
申请日：2016-09-09
申请人： ARM 有限公司
CPC分类号： H01L49/003 , G11C7/20 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/73 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1641
摘要： 本技术一般地涉及能够进行非对称设定或重置操作的相关的电子开关。
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公开(公告)号：CN105378849B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480040110.9
申请日：2014-06-26
申请人： 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/16 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
摘要： 在能够实现以比特为单位的双向改写的非易失性半导体存储装置中，使存储单元的耐久特性以及数据保持特性提高，同时高速地实施改写动作。设置与写入状态的变化的数量相应的逻辑电路(203、204)，并行地实施改写开始时的存储器读出数据(RO)和被给予的写入数据(DIN)的比较，使表示数据改写的要否的改写比特信息的生成高速化。此外，在存储器电改写实施后，基于保持在内部存储电路(205、206)中的改写比特信息来实施改写判定，由此防止针对改写完成的存储单元的无用的追加写入。
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公开(公告)号：CN107644935A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710558990.4
申请日：2017-07-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/005 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明实施例是有关电阻式随机存取存储器装置。本揭露涉及一种存储器架构，其包含：第一存储器宏，其包含第一多个存储器单元；第二存储器宏，其包含第二多个存储器单元；及控制逻辑，其耦合到所述第一存储器宏及所述第二存储器宏。所述控制逻辑经配置以通过分别使用第一信号电平及第二信号电平而将逻辑状态写入到所述第一多个存储器单元及所述第二多个存储器单元中的各者，由此引起所述第一存储器宏及所述第二存储器宏分别用于第一应用及第二应用中，所述第一信号电平与所述第二信号电平不同且所述第一应用与所述第二应用不同。所述第一存储器宏及所述第二存储器宏形成于单一芯片上，且其中所述第一多个所述存储器单元及所述第二多个所述存储器单元包含使用单一工艺配方形成的可变电阻介电层。
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公开(公告)号：CN106373606A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510669711.2
申请日：2015-10-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。
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公开(公告)号：CN106158016A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610124505.8
申请日：2016-03-04
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0073
摘要： 本发明提出一种集成电路，包含彼此耦接的可编程控制元件与电路。电路用于对可程序元件执行编程‑验证(program‑verify)操作，包含：(i)编程操作与验证操作的初始周期，以及(ii)在初始周期后，于可编程控制元件的存储单元电阻值不在电阻值的目标范围内时，重复进行接续在验证操作后的至少一后续周期。初始编程操作建立可编程控制元件的存储单元电阻值(cell resistance)。初始编程操作包含将具有第一极性的初始编程脉冲施加至可编程控制元件。其中后续周期包含：将具有第二极性的附加脉冲施加至该可编程控制元件。
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公开(公告)号：CN103858168B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201180074045.8
申请日：2011-09-02
申请人： 慧与发展有限责任合伙企业
发明人： 赛厄马克·塔瓦莱伊
CPC分类号： G11C13/004 , G11C5/04 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0047 , G11C2013/0073
摘要： 公开一种用于存储数据的设备和用于读取存储单元的方法。公开的示例性方法包含：在存储单元的读周期期间，在该存储单元上施加电流，来读取该存储单元的内容。在该存储单元的后续读周期期间，沿相反方向在该存储单元上施加后续电流，来读取该存储单元的该内容。
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公开(公告)号：CN105810241A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610027106.X
申请日：2016-01-15
申请人： 力旺电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2013/0045
摘要： 一种电阻式存储器的控制方法。首先，开始对该电阻式存储器进行一动作，使得电阻式存储器为一特定状态。接着，开始一运作周期。在运作周期的一第一子周期时，提供一第一极性的一第一控制信号。在运作周期的一第二子周期时，提供一第二极性的一第二控制信号。在运作周期的一第三子周期时，提供该第一极性的一第三控制信号。在运作周期的一第四子周期时，提供一读取信号，使得该电阻性存储器产生一读取电流。而根据读取电流，控制电路即据以验证该电阻式存储器是否为该特定状态。
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公开(公告)号：CN105609132A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510800604.9
申请日：2015-11-19
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3422
摘要： 一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
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公开(公告)号：CN102893336B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180023083.0
申请日：2011-05-10
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C29/02 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C13/0069 , G11C29/025 , G11C29/12005 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2029/1204
摘要： 本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。
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公开(公告)号：CN103180948B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280003077.3
申请日：2012-10-15
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2211/5648 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/146
摘要： 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
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