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公开(公告)号：CN115808606A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211586349.9
申请日：2022-12-10
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种光电探测器自动化测试系统，涉及通信用光电探测器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括用于与待测光电探测器连接的偏置器，以及与偏置器相连的电流源表；所述第二层级测试组件包括依次连接的可调谐光源、1×2光开关、光放大器、光衰减器、偏振控制器和光功率计，且所述偏振控制器还用于与待测光电探测器连接；所述第三层级测试组件包括与所述可调谐光源、1×2光开关和偏置器均相连的光波元件分析仪。本发明可在只搭建一套测试系统的情况下，一步完成部分或所有光电探测器在不同测试条件下关键性能的测试。
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公开(公告)号：CN115941034A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211584235.0
申请日：2022-12-10
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC分类号： H04B10/07 , H04B10/079 , H04B10/073
摘要： 本发明公开了一种电光调制器自动化测试系统，涉及通信用电光调制器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括依次连接的可调谐激光器和偏振控制器，所述偏振控制器的后端用于连接第一光功率计和待测电光调制器，且待测电光调制器的后端连接有1×2光开关和第二光功率计，所述第一层级测试组件还包括用于与待测电光调制器相连的电流源表；第二层级测试组件包括依次连接的光电探测器和第二高频切换开关，以及依次连接的波形发生器、射频放大器和第一高频切换开关。本发明能够极大提升测试效率及良率，有助于降低电光调制器量产筛选成本，增加成品良率。
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公开(公告)号：CN114217387B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111531239.8
申请日：2021-12-14
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本申请实施例提供了一种基板、光电器件及光电器件的封装方法，所述基板包括：装配槽，从所述基板的上表面向所述基板的下表面凹陷，用于容纳芯片；其中，所述上表面和所述下表面为所述基板相对的表面；凸台，位于所述装配槽内，所述凸台相对靠近所述上表面的一侧用于支撑所述芯片；其中，沿所述基板的厚度方向上，所述凸台的厚度小于所述装配槽的深度；导向槽，从所述上表面向所述下表面凹陷，且与所述装配槽连通，用于容纳光纤。
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公开(公告)号：CN112198589B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011144855.3
申请日：2020-10-23
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法，用于晶圆的制造工艺控制监控，测试结构包括至少一个测试单元，测试单元包括输入耦合器、波导以及输出耦合器，波导、输入耦合器以及输出耦合器均通过制造工艺形成；不同波长的偏振光射入输入耦合器，经过波导传输，再从输出耦合器射出；通过获取不同波长的偏振光的光谱特性曲线来确定曝光工艺中掩膜板是否对准，刻蚀工艺中刻蚀深度是否达到需求，从而保证制造工艺的一致性、稳定性，实现晶圆的制造工艺控制监控，从而提高光子集成芯片或光电子集成芯片良率。
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公开(公告)号：CN112611543B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011463882.7
申请日：2020-12-11
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种光纤探针阵列的校准结构及其校准方法，校准结构包括多个光电探测器以及多个光栅耦合器，光电探测器能够与光纤探针阵列排列方向上的至少两个探针一一对应，光电探测器用于将来自对应的探针的测试光束转换为电信号；光栅耦合器能够与光纤探针阵列对应的排列方向上的至少两个探针一一对应，光栅耦合器用于将测试光束传输至对应的探针、或接收来自对应的探针的测试光束，本申请实施例提供的校准结构以及校准方法成本较低，校准效率高。
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公开(公告)号：CN111755341B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202010493082.3
申请日：2020-06-03
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/67 , H01L23/544
摘要： 本公开是关于一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。该方法包括：确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。通过本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式，对失效芯片进行打点标记，在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记，从而实现通过针痕标记的不同区分出失效芯片不同的失效模式，探针标记操作简单、使用方便，可快速高效的标记出失效芯片的失效模式。
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公开(公告)号：CN114323592A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111672797.6
申请日：2021-12-31
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种光纤探针的校准结构及校准方法，该光纤探针的校准结构包括：针对特定工作波长具有不同期望耦合角度的至少两个光栅耦合器，至少一个耦合器、光探测装置以及依次连接至少两个光栅耦合器中的光栅、至少一个耦合器和光探测装置的光波导；至少两个光栅耦合器包括待校准的光栅耦合器；每一光栅耦合器，用于按照预设顺序依次接收光纤探针输出的第一光信号并输出第二光信号给光波导；至少一个耦合器，用于按照所述预设顺序依次接收第二光信号并输出第三光信号给光波导；每一第一光信号与对应的第三光信号之间的光功率的差值相等；光探测装置，用于按照预设顺序依次接收并响应第三光信号，输出每一光栅耦合器对应的光探测信号。
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公开(公告)号：CN112349803A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011197956.7
申请日：2020-10-30
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0232
摘要： 本发明实施例公开了一种锗硅光电探测器，其特征在于，包括：硅平板波导层，以及位于所述硅平板波导层上的锗吸收层和脊波导层；其中，所述锗吸收层包括间隔设置的第一锗吸收区和第二锗吸收区；所述脊波导层包括位于所述第一锗吸收区和所述第二锗吸收区之间的第一波导区；所述脊波导层用于接收光信号，并通过所述第一波导区将接收到的所述光信号传递至所述第一锗吸收区和所述第二锗吸收区；所述第一波导区的宽度沿光信号的传递方向变窄。
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公开(公告)号：CN112180505B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011136257.1
申请日：2020-10-22
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种光电集成芯片，包括测试结构以及集成器件，测试结构包括输入耦合器，输入耦合器用于接收测试光信号，输入耦合器为光栅耦合器，集成器件包括光电探测器和光接收组件，光接收组件能够接收应用光信号，光电探测器具有第一输入端和第二输入端，第一输入端能够接收至少部分测试光信号，并将接收到的至少部分测试光信号转换为电信号，第二输入端和光接收组件连接。本申请实施例提供的光电集成芯片能够实现在片测试。
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公开(公告)号：CN112737674A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011600600.3
申请日：2020-12-30
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H04B10/079 , H04B10/61
摘要： 本申请实施例提供一种检测系统以及检测方法，用于检测相干光接收机的相位误差，检测系统包括光源、分束器、时延器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、电信号测试组件以及信号处理单元，光源用于发出具有不同波长的测试光；分束器用于将测试光分成第一子光束和第二子光束；第一子光束和第二子光束之间具有相同的频率和稳定的相位差，从而在相干光接收机内能够有效混频以形成混频光，混频光在相干光接收机内转换成电信号，电信号从相干光接收机的输出端口输出；电信号测试组件获取每个输出端口的电信号，信号处理单元根据电信号获取相干光接收机的相位误差，检测系统以及检测方法简单、高效。
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