公开(公告)号：CN106207751B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610845797.4

申请日：2016-09-20

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 ,  武汉电信器件有限公司

发明人： 姜勋财 ,  王任凡 ,  岳爱文 ,  汤宝 ,  罗彪 ,  吴振华 ,  余兵 ,  朱拓

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/187

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。

公开(公告)号：CN106654856A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710113863.3

申请日：2017-02-28

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 ,  武汉电信器件有限公司

发明人： 姜勋财 ,  王任凡 ,  汤宝 ,  罗飙 ,  余兵 ,  朱拓 ,  吴振华

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18313

摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。

公开(公告)号：CN106207751A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610845797.4

申请日：2016-09-20

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 ,  武汉电信器件有限公司

发明人： 姜勋财 ,  王任凡 ,  岳爱文 ,  汤宝 ,  罗彪 ,  吴振华 ,  余兵 ,  朱拓

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/187

CPC分类号： H01S5/18361 ,  H01S5/187

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。

公开(公告)号：CN106654856B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710113863.3

申请日：2017-02-28

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 ,  武汉电信器件有限公司

发明人： 姜勋财 ,  王任凡 ,  汤宝 ,  罗飙 ,  余兵 ,  朱拓 ,  吴振华

IPC分类号： H01S5/183

摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。

公开(公告)号：CN216750642U

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202220308075.6

申请日：2022-02-15

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 姜勋财 ,  汤宝 ,  赵斯楠 ,  朱拓 ,  吴倩 ,  罗飚

IPC分类号： H01S5/42 ,  G01S17/894 ,  G01S7/48

摘要： 本实用新型涉及信号探测领域，尤其涉及一种基于VCSEL的发光点阵，其主要包括VCSEL发光基板以及设置在VCSEL发光基板上的若干个发光点，其中，所述发光点包括至少两种不同的电流阈值、至少两种不同的发光功率以及至少两种不同的发光面积。本实用新型打破常规方案中VCSEL均匀性和一致性的超高要求，使VCSEL的制作更简化，还打破了常规方案中仅仅依靠结构光或者TOF的特征方式来识别的方式，增加了更多的可利用的识别元素，使得图案探测的方式更加多元化，信息度更高，识别更简易。

公开(公告)号：CN214540029U

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202120769012.6

申请日：2021-04-14

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 姜勋财 ,  汤宝 ,  余兵 ,  朱拓

IPC分类号： G01S17/02 ,  G01S17/89 ,  G01S7/481

摘要： 本实用新型涉及激光雷达技术领域，尤其涉及一种激光雷达探测系统，包括主动探测系统以及被动探测系统，具体的，主动探测系统包括带主动探测光源的激光探测装置；被动探测系统包括双色或者多色成像探测器、与双色或者多色成像探测器相对应的被动信号接收端、与激光探测装置相对应的主动信号接收端、与被动信号接收端及主动信号接收端相连的读出电路结构；主动探测系统与被动探测系统相结合形成激光雷达探测系统。本实用新型既保证了高效的性能，还极大的提升了系统的集成度，同时也给未来雷达系统封装精简化提供了可能。