公开(公告)号：CN118509752A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410024141.0

申请日：2024-01-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  黄潇鸣 ,  孙成亮 ,  国世上 ,  魏民 ,  谷曦宇 ,  曲远航 ,  任玉奇 ,  丁嘉祺 ,  陈祥

IPC: H04R1/08 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了一种具有扰流板的压电麦克风及其制作方法，所述压电麦克风包括，外壳、与所述外壳围合形成容置腔的基板以及设置于所述容置腔内的MEMS芯片；所述外壳上开设有与所述容置腔相通的声孔；所述MEMS芯片包括固定柱和振膜，所述振膜是由所述固定柱支撑在所述基板上的压电悬臂梁，所述压电悬臂梁设置多个，相邻压电悬臂梁之间存在间隙；所述声孔内还设置有与所述间隙匹配的扰流板部件，工作时声波通过所述扰流板部件分散至所述间隙两边的压电悬臂梁上。本发明在封装外壳的通风孔上增加了一个扰流板结构，可以将损失的声波利用起来，将声波分散至间隙两边的悬臂振膜上，使振膜位移增大，也使麦克风接受到的声压级增大，从而提高麦克风的灵敏度。

公开(公告)号：CN115514338A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211132889.X

申请日：2022-09-16

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  王艺霖 ,  刘炎 ,  蔡耀 ,  刘文娟 ,  曲远航 ,  魏民 ,  丁嘉祺

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明公开了一种在布拉格反射层内集成无源电路的固态装配型谐振器。该固态装配型谐振器包括声波谐振器、布拉格反射层和无源电路器件。其中无源电路器件集成在布拉格反射层内，与谐振器通过金属化过孔的方式实现电气连接。本发明解决了现有技术中谐振器与电路集成工艺繁琐、成本高等问题，并通过将无源电路器件集成在布拉格反射层内部的方式减小器件体积。

公开(公告)号：CN119354363A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411379997.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  曲远航 ,  孙成亮 ,  刘泽晟 ,  谷曦宇 ,  魏民 ,  黄潇鸣 ,  陈祥 ,  丁嘉祺 ,  蔡耀 ,  国世上

IPC: G01K11/22 ,  G01K11/26 ,  G01K1/024 ,  H04Q9/00 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明公开了一种声表面波无线无源温度传感器和监测系统，所述温度传感器由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，所述衬底带有凹槽，并与压电层形成空腔结构。本发明采用压电材料作为温度敏感材料，采用声表面波的原理进行检测可以应用于无源无线的特殊场景，同时在衬底和压电层之间形成空腔结构，提升了温度传感器的温度检测的范围和精确度。

公开(公告)号：CN118424374A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410392338.X

申请日：2024-04-02

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  曲远航 ,  孙成亮 ,  刘泽晟 ,  谷曦宇 ,  魏民 ,  陈祥 ,  丁嘉祺 ,  蔡耀 ,  国世上

IPC: G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种集成无线无源薄膜智能传感系统及其制备方法和应用，传感系统包括压电基底、叉指电极、第一反射栅、第二反射栅和质量块；压电基底由下至上包括带有凹槽的衬底和压电层，压电层和衬底形成空腔；叉指电极位于压电基底顶端且环绕空腔设置，叉指电极包括第一插指电极和第二插指电极；第一反射栅和第一插指电极构成谐振型声波传感器；第二反射栅和第二插指电极构成延迟线性型声波传感器，第二反射栅平行于第一反射栅且靠近空腔设置；质量块设置于压电基底顶端且位于空腔上部区域内。本发明能在提高检测灵敏度的同时，通过二维解耦实现力和温度的同时测量。

公开(公告)号：CN118264968A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410454086.9

申请日：2024-04-16

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  魏民 ,  孙成亮 ,  陈祥 ,  黄潇鸣 ,  胡博豪 ,  蔡耀 ,  刘文娟 ,  国世上

IPC: H04R19/04

Abstract: 本发明公开了一种小型化压电式微机电系统麦克风及其制作方法，麦克风包括衬底、压电结构、引出电极、封装结构和ASIC芯片；衬底带有凹槽，压电结构设于衬底上端与凹槽形成背腔；压电结构包括压电叠层以及压电叠层内的底电极和顶电极，压电叠层还设有直达背腔的释放槽，引出电极设置于压电叠层内，底电极和顶电极通过引出电极引出，背腔正上方的压电结构为麦克风；ASIC芯片设于压电结构顶端；封装结构包括相连的封装端和连接端，封装端将释放孔和麦克风封装在内，麦克风上部与所述封装端构成麦克风前腔，引出电极通过连接端与ASIC芯片的输入电极连接。本发明相对于市面产品具有体积小、集成化程度高的特点，并提高了电气连接可靠性，降低连接的损耗。

公开(公告)号：CN114826192B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202210584692.3

申请日：2022-05-26

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  魏民 ,  刘炎 ,  胡博豪 ,  罗天成 ,  谢英 ,  蔡耀 ,  刘文娟

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明公开了一种三维集成的MEMS振荡器，包括，集成电路晶圆、MEMS谐振器晶圆。其中集成电路晶圆包含多个振荡器电路；MEMS谐振器晶圆包含多个谐振器组成的谐振器阵列；集成电路晶圆在MEMS谐振器晶圆之上，两者之间通过键合方式连接，并通过沉积金属薄膜的方式实现电气连接。本发明解决了现有技术中MEMS振荡器集成后横纵向尺寸过大，而且不易高度集成和多频集成的问题。

公开(公告)号：CN115513365A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211131706.2

申请日：2022-09-16

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  丁嘉祺 ,  刘炎 ,  蔡耀 ,  刘文娟 ,  谷曦宇 ,  魏民 ,  陈祥

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/23 ,  H01L41/33

Abstract: 本申请公开了一种基于FBAR的压力传感器及其制备方法。本技术方案中，包括具有二氧化硅的衬底，衬底底部开有背腔，衬底顶部刻有凹槽，凹槽内有硅柱，衬底顶部覆盖有种子层，种子层和衬底顶部凹槽一起围成了空气隙；在种子层上方是一个压电振荡堆结构，包括上下的顶电极和底电极，和中间夹着的压电层；压电层中开有通孔，将底电极暴露出来；顶电极部分和底电极暴露区域上沉积有电势连接线，顶部其余区域覆盖有钝化层。压电层中还开有释放孔，连接外部环境和空气隙。本申请压力传感器，可通过压力作用于空气隙上方的压电层，使压电层产生应变，改变压电层的刚度系数，导致谐振器的谐振频率发生改变，进而实现了压力的测量。

公开(公告)号：CN118450310A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410483816.8

申请日：2024-04-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  黄潇鸣 ,  孙成亮 ,  国世上 ,  魏民 ,  谷曦宇 ,  曲远航 ,  任玉奇 ,  郑宇鹏

IPC: H04R31/00 ,  H10N30/50

Abstract: 本申请提供了基于复合压电薄膜的音频芯片组件及制备方法，音频芯片组件包括衬底以及依次沉积于所述衬底上的下电极、第一压电层、中电极、第二压电层和上电极，所述第一压电层具有低介电常数和低压电系数，所述第二压电层具有高介电常数和高压电系数。本申请提供的基于复合压电薄膜的音频芯片组件，将具有低介电损耗、较差压电性能的压电层与具有高介电损耗、高压电性能的压电层组合为双晶片或多晶片结构，各压电层优势互补，使压电薄膜整体具有良好的压电性能和介电性能。

公开(公告)号：CN116412846A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310148562.X

申请日：2023-02-20

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  魏民 ,  刘炎 ,  曲远航 ,  蔡耀 ,  刘文娟 ,  罗天成 ,  谢英

IPC: G01D5/48

Abstract: 本发明涉及微电子技术，具体涉及基于SAW谐振器的无线无源阵列式传感器及测量方法，该传感器包括包括无线无源传感器阵列、信号收发与处理系统。无线无源传感器阵列接收信号收发与处理系统的无线激励信号并针对外界多个传感量作出响应，并将响应信号发送回信号收发与处理系统，通过信号收发与处理系统将无线无源传感器阵列的响应信号分离解耦，最终获得所需的传感量。该传感器解决了现有技术中，只能测量单一传感量，无法对耦合参数进行测量的缺点。通过上位机软件进行信号处理，外部电路简单，稳定性好，可靠性高。

公开(公告)号：CN117978125A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410072744.8

申请日：2024-01-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  王艺霖 ,  孙成亮 ,  国世上 ,  蔡耀 ,  刘文娟 ,  曲远航 ,  魏民 ,  黄潇鸣

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明公开了一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法，所述谐振器包括自下而上依次设置的衬底、声子晶体复合结构、压电层和电极结构，所述声子晶体复合结构包括沉积于所述衬底表面的基体层，所述基体层带有通向所述衬底表面的阵列结构的通孔，所述通孔内填充有散射体，所述基体层和所述散射体的材料不同，所述基体层的横向两端还设置有第一凸起结构；所述压电层由压电材料沉积于所述声子晶体复合结构的表面形成，因而带有第二凸起结构。本发明通过在传统声表面波结构中引入声子晶体、凸起反射结构，减少声波能量损失，提高Q值，降低薄膜声表面波谐振器的插入损耗，适用于高频、高功率场合下的射频滤波器需求。