一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117978125A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410072744.8

    申请日:2024-01-17

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法,所述谐振器包括自下而上依次设置的衬底、声子晶体复合结构、压电层和电极结构,所述声子晶体复合结构包括沉积于所述衬底表面的基体层,所述基体层带有通向所述衬底表面的阵列结构的通孔,所述通孔内填充有散射体,所述基体层和所述散射体的材料不同,所述基体层的横向两端还设置有第一凸起结构;所述压电层由压电材料沉积于所述声子晶体复合结构的表面形成,因而带有第二凸起结构。本发明通过在传统声表面波结构中引入声子晶体、凸起反射结构,减少声波能量损失,提高Q值,降低薄膜声表面波谐振器的插入损耗,适用于高频、高功率场合下的射频滤波器需求。

    一种具有扰流板的压电麦克风及其制作方法

    公开(公告)号:CN118509752A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410024141.0

    申请日:2024-01-05

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有扰流板的压电麦克风及其制作方法,所述压电麦克风包括,外壳、与所述外壳围合形成容置腔的基板以及设置于所述容置腔内的MEMS芯片;所述外壳上开设有与所述容置腔相通的声孔;所述MEMS芯片包括固定柱和振膜,所述振膜是由所述固定柱支撑在所述基板上的压电悬臂梁,所述压电悬臂梁设置多个,相邻压电悬臂梁之间存在间隙;所述声孔内还设置有与所述间隙匹配的扰流板部件,工作时声波通过所述扰流板部件分散至所述间隙两边的压电悬臂梁上。本发明在封装外壳的通风孔上增加了一个扰流板结构,可以将损失的声波利用起来,将声波分散至间隙两边的悬臂振膜上,使振膜位移增大,也使麦克风接受到的声压级增大,从而提高麦克风的灵敏度。

    一种高Q值兰姆波谐振器及其制作方法

    公开(公告)号:CN117978121A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410069576.7

    申请日:2024-01-17

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种高Q值兰姆波谐振器及其制作方法,所述谐振器包括自下而上依次布置的带有凹槽的衬底、功能性材料层、压电材料层以及电极结构,其特征在于,所述功能性材料层围绕衬底的凹槽设置;所述压电材料层具有凸起,所述压电材料层与所述衬底的凹槽形成空腔,空腔上部的压电材料层带有通孔将所述空腔与外界环境相通。本发明的谐振器的压电材料层具有凸起,可以增大谐振器边界处的声阻抗差异,有助于增加声波的反射效率,减小能量损失,从而提高谐振器整体的Q值;将压电材料直接沉积在衬底上存在较大的空间传输损耗,功能性材料层存在大量缺陷,可以有效捕获自由载流子,进而提升谐振器的Q值。

    基于复合压电薄膜的音频芯片组件及制备方法

    公开(公告)号:CN118450310A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410483816.8

    申请日:2024-04-22

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请提供了基于复合压电薄膜的音频芯片组件及制备方法,音频芯片组件包括衬底以及依次沉积于所述衬底上的下电极、第一压电层、中电极、第二压电层和上电极,所述第一压电层具有低介电常数和低压电系数,所述第二压电层具有高介电常数和高压电系数。本申请提供的基于复合压电薄膜的音频芯片组件,将具有低介电损耗、较差压电性能的压电层与具有高介电损耗、高压电性能的压电层组合为双晶片或多晶片结构,各压电层优势互补,使压电薄膜整体具有良好的压电性能和介电性能。

    一种压电-挠曲电耦合的薄膜体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117978124A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410072906.8

    申请日:2024-01-17

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种压电‑挠曲电耦合的薄膜体声波谐振器及其制备方法,所述谐振器包括由下至上堆叠设置的衬底、种子层、下电极层、压电层、挠曲电耦合层和上电极层;所述挠曲电耦合层由两种不同的压电材料以相同厚度周期性堆叠而成。本发明的谐振器中挠曲电耦合层每层薄膜间的界面效应在界面附近产生较大的应变梯度,产生挠曲电效应,所述挠曲电耦合层下面一层为压电层,不会产生挠曲电效应,这便打破了挠曲电耦合层和压电层的应变梯度沿厚度方向的对称性,这会导致压电层和挠曲电耦合层的总体极化增强,并提高压电层和挠曲电耦合层的等效压电系数,进而显著提高薄膜体声波谐振器的机电耦合系数。

    一种小型化压电式微机电系统麦克风及其制作方法

    公开(公告)号:CN118264968A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410454086.9

    申请日:2024-04-16

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种小型化压电式微机电系统麦克风及其制作方法,麦克风包括衬底、压电结构、引出电极、封装结构和ASIC芯片;衬底带有凹槽,压电结构设于衬底上端与凹槽形成背腔;压电结构包括压电叠层以及压电叠层内的底电极和顶电极,压电叠层还设有直达背腔的释放槽,引出电极设置于压电叠层内,底电极和顶电极通过引出电极引出,背腔正上方的压电结构为麦克风;ASIC芯片设于压电结构顶端;封装结构包括相连的封装端和连接端,封装端将释放孔和麦克风封装在内,麦克风上部与所述封装端构成麦克风前腔,引出电极通过连接端与ASIC芯片的输入电极连接。本发明相对于市面产品具有体积小、集成化程度高的特点,并提高了电气连接可靠性,降低连接的损耗。

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