公开(公告)号：CN112853482B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202011633598.X

申请日：2020-12-31

Applicant: 武汉大学深圳研究院

Inventor： 李辉 ,  申胜男 ,  刘胜 ,  于大洋 ,  张磊 ,  聂思媛 ,  杜晨宇 ,  王浩丞

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及一种微波等离子体‑磁控溅射复合气相沉积原位制备100面金刚石的方法及设备。使用研磨抛光好的单晶硅或钽酸钾衬底，使用反应或惰性气体等离子体刻蚀硅衬底上表面无机物和表面缺陷；再使用磁控溅射一层2um的Ir缓冲层并形成碳元素的SP3键促进金刚石薄膜生长；接着开始金刚石100面偏压增强形核；开始异质外延金刚石生长。提高金刚石制备效率及制备质量。

公开(公告)号：CN112853482A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011633598.X

申请日：2020-12-31

Applicant: 武汉大学深圳研究院

Inventor： 李辉 ,  申胜男 ,  刘胜 ,  于大洋 ,  张磊 ,  聂思媛 ,  杜晨宇 ,  王浩丞

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及一种微波等离子体‑磁控溅射复合气相沉积原位制备100面金刚石的方法及设备。使用研磨抛光好的单晶硅或钽酸钾衬底，使用反应或惰性气体等离子体刻蚀硅衬底上表面无机物和表面缺陷；再使用磁控溅射一层2um的Ir缓冲层并形成碳元素的SP3键促进金刚石薄膜生长；接着开始金刚石100面偏压增强形核；开始异质外延金刚石生长。提高金刚石制备效率及制备质量。