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公开(公告)号：CN118539897A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410725319.4
申请日：2024-06-05
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种体声波滤波器和电子设备，该体声波滤波器包括金属罩、衬底和封装基板，金属罩包括侧壁金属层和底部金属层，侧壁金属层与底部金属层构成容纳空间；衬底位于容纳空间内，衬底背离底部金属层的一侧表面包括谐振器设置区；谐振器设置区设置有输入焊盘、输出焊盘以及电连接于输入焊盘与输出焊盘之间的多个体声波谐振器；封装基板位于衬底背离底部金属层的一侧，封装基板包括接地端，金属罩与接地端电连接。本发明提供的技术方案，可以改善通带左侧和右侧的带外抑制，提高体声波滤波器的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN117200741A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311191406.8
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种体声波谐振组件及其制备方法，涉及通信技术领域，本申请的体声波谐振组件，包括衬底以及设置在衬底上的第一谐振组件和第二谐振组件，第一谐振组件和第二谐振组件之间形成互连区域，第一谐振组件包括依次设置于衬底上的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，第二谐振组件包括依次设置于衬底上的第二底电极、第二压电层和第二顶电极，第一底电极和第二顶电极在互连区域连接，第二底电极和第一顶电极在互连区域连接。本申请提供的体声波谐振组件及其制备方法，能够在不增大体声波谐振组件的体积的基础上，提高反向并联的稳定性并减小损耗。
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公开(公告)号：CN118539898A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410726068.1
申请日：2024-06-05
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种体声波滤波器和电子设备，该体声波滤波器包括衬底，包括位于衬底的一侧表面的谐振器设置区和围绕谐振器设置区的周边区；谐振器设置区设置有输入焊盘、输出焊盘以及电连接在输入焊盘与输出焊盘之间的多个体声波谐振器；周边区设置有金属结构，金属结构包括连接部和开口部，连接部在开口部处断开，连接部接地。本发明提供的技术方案，可以改善通带左侧和右侧的带外抑制，提高体声波滤波器的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN117200741B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311191406.8
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种体声波谐振组件及其制备方法，涉及通信技术领域，本申请的体声波谐振组件，包括衬底以及设置在衬底上的第一谐振组件和第二谐振组件，第一谐振组件和第二谐振组件之间形成互连区域，第一谐振组件包括依次设置于衬底上的第一底电极、第一压电层和第一顶电极，第二谐振组件包括依次设置于衬底上的第二底电极、第二压电层和第二顶电极，第一底电极和第二顶电极在互连区域连接，第二底电极和第一顶电极在互连区域连接。本申请提供的体声波谐振组件及其制备方法，能够在不增大体声波谐振组件的体积的基础上，提高反向并联的稳定性并减小损耗。
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公开(公告)号：CN117335768A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311626195.6
申请日：2023-11-29
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该薄膜体声波谐振器，包括：基底层和依次层叠设置在基底层上的底电极、压电层和顶电极，基底层上设有声反射结构，底电极、压电层和顶电极在基底层上的正投影的重叠部分与声反射结构在基底层上的正投影的重叠区域作为工作区域；底电极和压电层上分别设有第一凹凸结构，第一凹凸结构用于改变底电极和压电层上局部区域的厚度，压电层上的第一凹凸结构与底电极上的第一凹凸结构位置对应，第一凹凸结构环绕工作区域设置。该薄膜体声波谐振器能够有效减少能量损耗并提升Q值，从而改善谐振器的陡峭性和插入损耗，同时还可以有效地抑制杂散波，从而使频率响应更加平滑。
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公开(公告)号：CN221151327U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202322451466.0
申请日：2023-09-08
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/17
摘要： 一种谐振器、滤波器及封装结构，涉及谐振器技术领域。该谐振器包括衬底、位于衬底上的第一压电堆叠结构，以及相变材料层；第一压电堆叠结构包括依次层叠的第一底电极层、第一压电层和第一顶电极层；相变材料层位于第一压电堆叠结构远离衬底的一侧，或者，相变材料层位于第一压电堆叠结构靠近衬底的一侧。该谐振器能够改善由于温度变化引起的频率漂移现象，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN221305889U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202323276371.6
申请日：2023-11-30
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该谐振器包括：衬底层和依次层叠设置在衬底层上的底电极层、压电层和顶电极层，衬底层和底电极层之间设有声反射结构，谐振器上划分有工作区域，工作区域位于声反射结构的上方，工作区域内底电极层和顶电极层在衬底层上的正投影重合，工作区域内设有空气柱，空气柱的表面用于反射声波。该谐振器通过在工作区域内设置空气柱，利用空气的声阻抗与固体材料相比近似为零这一特点，在工作区域内形成良好的空气反射界面，相比于现有技术，能够进一步减少声波能量的横向泄露，具有较高的Q值，且工艺流程简单，易于加工。
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公开(公告)号：CN221305892U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202323254254.X
申请日：2023-11-28
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种体声波谐振器及滤波器，涉及半导体器件技术领域，本申请的体声波谐振器，包括衬底以及依次设置于衬底上的底电极、压电层和顶电极，衬底的上表面内凹形成连通的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的深度小于第一凹槽的深度，第一凹槽、底电极、压电层以及顶电极沿层级方向投影重合的区域为有效谐振区域，第二凹槽位于有效谐振区域的边缘。本申请提供的体声波谐振器及滤波器，能够提高对横向波的反射效果，从而减少能量的泄露。
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