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发明公开
激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法审中-公开

公开(公告)号：CN116804697A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310759847.7

申请日：2023-06-25

申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司

发明人： 夏宏宇 , 刘应军 , 易美军 , 崔涛 , 张烜

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法。其中激光器芯片的老化条件获取方法包括：根据不同的设定电流值，对激光器芯片进行分组；对每组激光器芯片进行升温老化试验，获取每个设定电流值下的极限温度；获取每个设定电流值下和极限温度下的加速因子；选取加速因子大于第一预设值的多组激光器芯片，基于其对应的极限温度和试验电流，进行老化试验及HTOL测试，获取失效比例和失效时间节点；将HTOL测试无失效且失效时间节点小于第二预设值的一组激光器芯片，其对应的试验电流和极限温度作为老化条件。该老化条件能有效筛选早期失效产品，以及不会因为应力过大而破坏产品，还能够得到合理的老化时间，提高老化试验的效率。