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公开(公告)号：CN115524099B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211076815.9
申请日：2022-09-05
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及光通信技术领域，方法包括：响应于半导体激光器的测试指令，在第一预设温度条件下测试半导体激光器的光谱特性，得到光谱特性数据；根据多个波长的多个第一强度，确定主峰和次峰；获取主峰的第二强度、次峰的第三强度和次峰的位置信息；根据第二强度、第三强度和次峰的位置信息，判断半导体激光器是否满足预设条件，其中，预设条件为半导体激光器在第二预设温度下出现扭折的概率小于预设概率阈值；在半导体激光器满足预设条件的情况下，确定半导体激光器为良品。实现了在生产流程上可以省略低温测试环节，大大节省了生产成本和生产时间，有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116804697A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310759847.7
申请日：2023-06-25
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法。其中激光器芯片的老化条件获取方法包括：根据不同的设定电流值，对激光器芯片进行分组；对每组激光器芯片进行升温老化试验，获取每个设定电流值下的极限温度；获取每个设定电流值下和极限温度下的加速因子；选取加速因子大于第一预设值的多组激光器芯片，基于其对应的极限温度和试验电流，进行老化试验及HTOL测试，获取失效比例和失效时间节点；将HTOL测试无失效且失效时间节点小于第二预设值的一组激光器芯片，其对应的试验电流和极限温度作为老化条件。该老化条件能有效筛选早期失效产品，以及不会因为应力过大而破坏产品，还能够得到合理的老化时间，提高老化试验的效率。
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公开(公告)号：CN117791297B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311817348.5
申请日：2023-12-26
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了半导体激光器的电极的制备方法及电极，该方法包括：对第一晶圆进行沉积处理，以使第一晶圆的表面附着第一金属膜，得到第二晶圆；对第二晶圆进行电镀处理，以使第一金属膜上附着第二金属膜，得到第三晶圆，其中，第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进行涂光刻胶和光刻处理，以形成第二光刻图形，得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着第二金属膜，使得第一金属膜和第二金属膜贴合紧密，相当于加厚了第一金属层，使得金属电极的热容量变大，提高了半导体激光器的电极散热性。
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公开(公告)号：CN117791297A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311817348.5
申请日：2023-12-26
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了半导体激光器的电极的制备方法及电极，该方法包括：对第一晶圆进行沉积处理，以使第一晶圆的表面附着第一金属膜，得到第二晶圆；对第二晶圆进行电镀处理，以使第一金属膜上附着第二金属膜，得到第三晶圆，其中，第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进行涂光刻胶和光刻处理，以形成第二光刻图形，得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着第二金属膜，使得第一金属膜和第二金属膜贴合紧密，相当于加厚了第一金属层，使得金属电极的热容量变大，提高了半导体激光器的电极散热性。
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公开(公告)号：CN115524099A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211076815.9
申请日：2022-09-05
申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及光通信技术领域，方法包括：响应于半导体激光器的测试指令，在第一预设温度条件下测试半导体激光器的光谱特性，得到光谱特性数据；根据多个波长的多个第一强度，确定主峰和次峰；获取主峰的第二强度、次峰的第三强度和次峰的位置信息；根据第二强度、第三强度和次峰的位置信息，判断半导体激光器是否满足预设条件，其中，预设条件为半导体激光器在第二预设温度下出现扭折的概率小于预设概率阈值；在半导体激光器满足预设条件的情况下，确定半导体激光器为良品。实现了在生产流程上可以省略低温测试环节，大大节省了生产成本和生产时间，有效提高生产效率。
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