晶圆表面缺陷检测及表面修复方法

    公开(公告)号:CN112735964B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202011542963.6

    申请日:2020-12-23

    发明人: 梁斐 赵长林 胡胜

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/02 H01L21/18

    摘要: 在本发明提供的一种晶圆表面缺陷检测及表面修复方法,其通过键合至少两个晶圆,以在相邻两个晶圆之间形成键合结构,并在判断出气泡缺陷是由设计结构导致后,破开键合结构以分离至少两个键合后的晶圆,并根据气泡缺陷在晶圆上的位置,确定导致发生气泡缺陷的设计结构,以能够快速检测出导致气泡缺陷的设计结构。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110335847B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN201910625448.5

    申请日:2019-07-11

    发明人: 盛备备 胡胜 梁斐

    IPC分类号: H01L21/768 H01L23/48

    摘要: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:S1,提供至少一片晶圆;S2,形成重工刻蚀停止层于所述晶圆上;S3,形成聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上;S4,对所述聚合物材料层进行包含烘烤在内的工艺处理;S5,检测所述聚合物材料层是否出现异常,若所述聚合物材料层出现异常,则去除异常的聚合物材料层并形成新的聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上,接着再循环执行步骤S4至步骤S5,直至形成的新的聚合物材料层未出现异常。本发明的技术方案使得重工刻蚀停止层下方的结构不会受到重工刻蚀工艺的影响,进而使得晶圆的报废率得到降低,从而使得生产成本得到降低。

    晶圆表面缺陷检测及表面修复方法

    公开(公告)号:CN112735964A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011542963.6

    申请日:2020-12-23

    发明人: 梁斐 赵长林 胡胜

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/02 H01L21/18

    摘要: 在本发明提供的一种晶圆表面缺陷检测及表面修复方法,其通过键合至少两个晶圆,以在相邻两个晶圆之间形成键合结构,并在判断出气泡缺陷是由设计结构导致后,破开键合结构以分离至少两个键合后的晶圆,并根据气泡缺陷在晶圆上的位置,确定导致发生气泡缺陷的设计结构,以能够快速检测出导致气泡缺陷的设计结构。

    一种键合结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN110867387A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911185772.6

    申请日:2019-11-27

    发明人: 李乔伟 梁斐 胡胜

    摘要: 本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法,在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层,封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘,在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片,裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时,利用待键合芯片中的封装垫层,将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层,以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构,待键合芯片可以选择没有缺陷的产品,相较于晶圆与晶圆的键合,避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合,提高产品的良率,进而降低制造成本。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110335847A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910625448.5

    申请日:2019-07-11

    发明人: 盛备备 胡胜 梁斐

    IPC分类号: H01L21/768 H01L23/48

    摘要: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:S1,提供至少一片晶圆;S2,形成重工刻蚀停止层于所述晶圆上;S3,形成聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上;S4,对所述聚合物材料层进行包含烘烤在内的工艺处理;S5,检测所述聚合物材料层是否出现异常,若所述聚合物材料层出现异常,则去除异常的聚合物材料层并形成新的聚合物材料层于所述重工刻蚀停止层上,接着再循环执行步骤S4至步骤S5,直至形成的新的聚合物材料层未出现异常。本发明的技术方案使得重工刻蚀停止层下方的结构不会受到重工刻蚀工艺的影响,进而使得晶圆的报废率得到降低,从而使得生产成本得到降低。

    一种键合结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN110137096A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910411972.2

    申请日:2019-05-17

    发明人: 梁斐 曹静 胡胜

    摘要: 本申请提供一种键合结构及其制造方法,在晶圆的表面形成有多颗阵列排布的芯片,各芯片包括器件结构、与器件结构电连接的互连结构和与互联结构电连接的第一封装垫层,第一封装垫层设置于芯片的边缘区域,在对多个晶圆进行键合并切割后,得到芯片堆叠,暴露出芯片的边缘区域的第一封装垫层。这样,在封装基板上有电连线和与电连线电连接的第二封装垫层时,芯片堆叠的第一封装垫层可以与封装基板的第二封装垫层电连接,从而通过封装基板对各个芯片堆叠进行封装以及建立电连接,无需在晶圆上形成通孔以实现键合,简化制造工艺,提高芯片可靠性。