公开(公告)号：CN110867387A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911185772.6

申请日：2019-11-27

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李乔伟 ,  梁斐 ,  胡胜

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法，在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘，在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时，利用待键合芯片中的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层，以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构，待键合芯片可以选择没有缺陷的产品，相较于晶圆与晶圆的键合，避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合，提高产品的良率，进而降低制造成本。

公开(公告)号：CN111276399B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202010102875.8

申请日：2020-02-19

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李乔伟 ,  胡胜 ,  赵长林

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L23/488

摘要： 本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆。本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。

公开(公告)号：CN111276399A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010102875.8

申请日：2020-02-19

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李乔伟 ,  胡胜 ,  赵长林

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L23/488

摘要： 本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆。本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。