公开(公告)号：CN111276399A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010102875.8

申请日：2020-02-19

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李乔伟 ,  胡胜 ,  赵长林

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L23/488

摘要： 本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆。本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。

公开(公告)号：CN109192717B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201810988464.6

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  刘天建

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接，第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接，第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接，且第二互连层与所述第三互连层相接触，不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且，不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及，所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离，进而降低寄生电容和功率损耗，提高了传输速度。

公开(公告)号：CN109285852B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201811089633.9

申请日：2018-09-18

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  胡胜

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法。沟槽形成方法中利用刻蚀时的负载效应，通过一张光罩、一次刻蚀工艺在衬底上同时形成第一沟槽和第二沟槽，简化了沟槽制作工艺，降低了成本。背照式图像传感器制作方法中通过在衬底背面同时形成第一沟槽和第二沟槽，简化了背照式图像传感器中的制作沟槽工艺，降低了成本，同时既通过第一沟槽提高了量子效率又通过第二沟槽改善了电学串扰。

公开(公告)号：CN108346615A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810089222.3

申请日：2018-01-30

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  曾甜

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/14643

摘要： 本发明提供一种沟槽形成方法，包括提供一基底及基底下面的氧化层；在基底的上面涂覆光刻胶，用一掩模板对基底上的光刻胶进行曝光显影，以在基底上形成第一和第二图案；掩模板上有第一和第二掩模图案，第一掩模图案的面积大于第二掩模图案；据第一图案和第二图案对基底刻蚀，除去基底上的光刻胶，在基底上形成第一和第二沟槽，第一沟槽的深度大于第二沟槽。还提供一种半导体器件，包括基底和基底下面的氧化层，在基底上用上述沟槽形成方法形成第一和第二沟槽。本发明根据刻蚀的loading effect现象，利用一张掩模板上同时具面积不同的第一和第二掩模图案，用一次曝光显影刻蚀形成深度不同的第一和第二沟槽，简化了工艺，降低了成本。

公开(公告)号：CN109148415B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201810990635.9

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  曾甜

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367

摘要： 本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接，第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接，第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接，且第二互连层与所述第三互连层相接触，不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且，不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及，所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离，进而降低寄生电容和功率损耗，提高了传输速度。

公开(公告)号：CN109148361B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201810989687.4

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 胡杏 ,  周玉 ,  刘天建 ,  胡胜 ,  赵长林

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法。在所述半导体器件中，隔离层至少覆盖第一开孔的侧面，一方面，隔离层在干法刻蚀以暴露第一金属层和第二金属层的工艺中，防止过刻蚀反溅的第一金属层和第二金属层扩散到第一衬底；另一方面，隔离层作为阻挡层，防止互连层扩散到第一衬底中。进一步的，隔离层包含氮化硅层，氮化硅层比较致密，有利于防止金属层例如是铜反溅扩散到第一衬底的侧壁。再进一步的，隔离层还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第二氧化硅层用以保护氮化硅层不被刻蚀消耗；第一氧化硅层，用于提高氮化硅层和第一衬底之间的粘合力，同时缓解氮化硅层的应力，防止由于氮化硅层应力过大可能导致的晶圆上的芯片断裂。

公开(公告)号：CN109192717A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810988464.6

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  刘天建

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接，第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接，第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接，且第二互连层与所述第三互连层相接触，不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且，不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及，所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离，进而降低寄生电容和功率损耗，提高了传输速度。

公开(公告)号：CN109166840A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810988427.5

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 曾甜 ,  赵长林

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283

摘要： 本发明提供了多晶圆堆叠结构及其形成方法，第一介质层与第二介质层相互键合，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接；第三介质层与绝缘层相互键合，第二互连层通过第二开孔与第三金属层和第一互连层电连接。不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时，减少了多晶圆堆叠厚度，从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小，增加封装密度，满足半导体产品日益走向轻薄的要求。并且，半导体器件不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工，有利于降低了成本，简化了工艺。

公开(公告)号：CN109166820A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810989689.3

申请日：2018-08-28

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  刘天建 ,  胡胜 ,  丁振宇

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供一种半导体器件制作方法以及半导体器件，先执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层的第一开孔，再执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿所述第一衬底和部分厚度的第一介质层的第二开孔，随后执行无掩膜刻蚀工艺，以暴露所述第一开孔下方的第二金属层和第二开孔下方的部分所述第一金属层，最后形成互连层，实现两晶圆间的金属互连。本发明只需采用两道光罩即可形成第一开孔和第二开孔，并实现第一金属层和第二金属层的互连，简化了工艺，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN108346674A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810088768.7

申请日：2018-01-30

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 赵长林 ,  曾甜

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明提供一种半导体硅晶片的制备方法、半导体硅晶片及图像传感器。所述方法包括：提供一半导体硅晶片；在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻；以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。利用本发明提供的方法增加了半导体硅晶片的表面积，增加了光吸收率，从而提升图像处理器光学性能。