公开(公告)号：CN104529421A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410740177.5

申请日：2014-12-08

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王玉成 ,  李秋梅 ,  傅正义 ,  王为民 ,  王皓 ,  张金咏 ,  张帆 ,  任琳

IPC: C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种细晶莫来石陶瓷的制备方法。通过溶胶-凝胶法制备莫来石前驱体粉，然后利用放电等离子快速升温工艺进行烧结，在烧结过程中通过改变烧结的升温速率和保温时间，在控制晶粒生长的前提下实现致密化，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。本发明的技术要点是，找到合适的升温速率、升温速率温度转折点以及保温时间，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。该制备方法工艺简单，成本低，烧结时间短，制备出的莫来石陶瓷晶粒细小，致密度高，红外透过率高。

公开(公告)号：CN104529421B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410740177.5

申请日：2014-12-08

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王玉成 ,  李秋梅 ,  傅正义 ,  王为民 ,  王皓 ,  张金咏 ,  张帆 ,  任琳

IPC: C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种细晶莫来石陶瓷的制备方法。通过溶胶?凝胶法制备莫来石前驱体粉，然后利用放电等离子快速升温工艺进行烧结，在烧结过程中通过改变烧结的升温速率和保温时间，在控制晶粒生长的前提下实现致密化，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。本发明的技术要点是，找到合适的升温速率、升温速率温度转折点以及保温时间，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。该制备方法工艺简单，成本低，烧结时间短，制备出的莫来石陶瓷晶粒细小，致密度高，红外透过率高。