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公开(公告)号:CN117626216A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311578507.0
申请日:2023-11-23
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印水基前驱体制备二维过渡金属硫属化物的方法,属于二维半导体材料技术领域。本发明方法通过使用工业喷墨打印机,实现了在皮克(10‑12g)水平实现的具有稳定使用控制的原位水前驱体,并通过精确调整喷墨打印参数,然后是快速加热过程,可以轻松实现大面积厘米尺寸和良好厚度可控性的图案化TMDCs薄膜,并且可以在短时间内轻松合成毫米级的高质量单层TMDCs(相应的增长速率可达到36.4μm s‑1)。一定程度上的解决了在合成大面积毫米尺寸和良好厚度可控性的图案化的TMDCs的过程中,对前驱体进行高精度、高重复性的定量控制,简化了实验操作,避免了部分人为引入的误差。