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公开(公告)号：CN111876703B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010739250.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明中的数控步进电机由变能程序调试控制系统V170419、蓝牙驱动系统、蓝牙串口下载线、驱动控制器、开关电源、步进驱动器、步进电机螺旋传动丝杆滑台和石英杆组成。在真空中通过数控步进电机推动石英杆使生长材料从低温区进入高温区进行退火，实现晶格变化形成单晶。在CVD真空石英管内部采用步进电机移动样品，一方面在真空中进行实验，减少了不必要的污染，提高了实验的精确性，降低了实验装置和生产设备的购置成本；另一方面不需要在每步操作后重新设定参数，简化了实验操作流程，降低人工成本的同时也避免了人为误差。
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公开(公告)号：CN115127474A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210663595.3
申请日：2022-06-10
Applicant: 江南大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种计算机控制激光测量仪XY扫描的方法，属于测试测量的应用技术领域。本发明基于LabVIEW软件平台，通过计算机程序，实现计算机控制LT‑9010M激光测量仪对被测样品的XY扫描测量，并显示出数据波形图及形貌图；通过选用LT9010M激光测量仪，测量精度可达到达10纳米,远高于目前国内研究的激光测量仪，并且可以应用于多种测量模式；采用LabVIEW平台设计一款适配的控制程序，实现了高效率、高精度的XY扫描；此外，本发明相比于LT9010M激光测量仪自带的扫描方式，可实现更简单、形象、直观地对检测数据进行观察与对比，也让数据处理更加方便、快捷，可应用于各种高精尖测量领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111850509A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010738875.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 江南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/44 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种原位控制法制备过渡金属硫属化物平面异质结的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明利用目前公认的最有效生长的化学气相沉积法制备过渡金属硫属化物平面异质结，相比现有的两步法生长，本发明使用钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)与钨酸铵((NH4)10W12O41·xH2O)的溶液来作为前驱体，并且通过移动钼源与钨源于衬底的正下方进行沉积，本发明无需人工进行二维材料的二次转移堆叠，重复性好，过程快速高效，连续可控地制备了高质量低成本的平面异质结，避免了交叉污染的问题；并且水溶性前驱体溶液同时具备环保、便宜、稳定和易溶于水等优点。
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公开(公告)号：CN116353212A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310332858.7
申请日：2023-03-30
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种气压辅助压电振动直写喷笔装置及应用，属于印刷电子技术领域。所述装置包括筒身、压电喷头模块、气压接头、软管、三通电磁阀、调压阀、空压机、进料口、功率放大器和信号发生器，所述筒身底部连接压电喷头模块，所述压电喷头模块连接所述功率放大器和所述信号发生器；所述筒身上设有所述进料口；所述筒身顶部连接所述气压接头，所述气压接头由所述软管连接所述三通电磁阀的一端，所述三通电磁阀的另外两端分别连接所述调压阀和连通大气环境，所述调压阀连接所述空压机。通过气压辅助压电振动的设置，使得聚拢喷射的同时，在压力的提高下能够具有更大的射程，从而增加了与样品表面的可用工作距离，也能够应用于高粘度液体的喷射，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN117626216A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311578507.0
申请日：2023-11-23
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印水基前驱体制备二维过渡金属硫属化物的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明方法通过使用工业喷墨打印机，实现了在皮克(10‑12g)水平实现的具有稳定使用控制的原位水前驱体，并通过精确调整喷墨打印参数，然后是快速加热过程，可以轻松实现大面积厘米尺寸和良好厚度可控性的图案化TMDCs薄膜，并且可以在短时间内轻松合成毫米级的高质量单层TMDCs(相应的增长速率可达到36.4μm s‑1)。一定程度上的解决了在合成大面积毫米尺寸和良好厚度可控性的图案化的TMDCs的过程中，对前驱体进行高精度、高重复性的定量控制，简化了实验操作，避免了部分人为引入的误差。
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公开(公告)号：CN111876703A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010739250.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明中的数控步进电机由变能程序调试控制系统V170419、蓝牙驱动系统、蓝牙串口下载线、驱动控制器、开关电源、步进驱动器、步进电机螺旋传动丝杆滑台和石英杆组成。在真空中通过数控步进电机推动石英杆使生长材料从低温区进入高温区进行退火，实现晶格变化形成单晶。在CVD真空石英管内部采用步进电机移动样品，一方面在真空中进行实验，减少了不必要的污染，提高了实验的精确性，降低了实验装置和生产设备的购置成本；另一方面不需要在每步操作后重新设定参数，简化了实验操作流程，降低人工成本的同时也避免了人为误差。
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公开(公告)号：CN112345320A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011122581.8
申请日：2020-10-20
Applicant: 江南大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明一种基于半自动探针台微控二维材料的方法,属于探针台控制技术领域。本发明基于操控杆与步进电机精确控制探针台探针，使操作人员可以更加精确地控制探针在CVD制备的样品表面进行XYZ三个方向的移动，进而得到所需尺寸的二维材料样品，方便转移，为后续的器件制作提供了良好的基础，避免了传统方法处理过程中对二维材料的损害。本发明方法微调的行程为30mm，控制精度可达0.008μm，而且拥有控制效果良好，操作简便，实现了对探针台探针在半导体材料及金属电极表面的高精度微操作定位与控制。
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