公开(公告)号：CN118173628A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410020999.X

申请日：2024-01-05

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  王萌 ,  邵枫 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于MoS2‑In2Se3异质结的多源信息探测器及制备方法，属于半导体器件领域。本发明的多源信息探测器包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，所述异质结构为MoS2‑In2Se3垂直异质结，且提出了一种利用干法转移技术制备MoS2‑In2Se3异质结的方法，通过底部搭建In2Se3实现了底部栅极对In2Se3极化方向的控制，实现了对器件的多维调控方式，调控手段简单且有效，短暂的栅压即可切换极化方向实现暗电流的有效降低，且提高了对人体静电、震动探测的灵敏度，有利于推动二维异质结在多功能探测领域和半导体行业的发展。

公开(公告)号：CN111081820A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911421184.8

申请日：2019-12-31

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  李大庆 ,  邵枫 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO-黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。

公开(公告)号：CN116353212A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310332858.7

申请日：2023-03-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 邵枫 ,  刘尚剑 ,  万茜 ,  顾晓峰

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/045

Abstract: 本发明涉及一种气压辅助压电振动直写喷笔装置及应用，属于印刷电子技术领域。所述装置包括筒身、压电喷头模块、气压接头、软管、三通电磁阀、调压阀、空压机、进料口、功率放大器和信号发生器，所述筒身底部连接压电喷头模块，所述压电喷头模块连接所述功率放大器和所述信号发生器；所述筒身上设有所述进料口；所述筒身顶部连接所述气压接头，所述气压接头由所述软管连接所述三通电磁阀的一端，所述三通电磁阀的另外两端分别连接所述调压阀和连通大气环境，所述调压阀连接所述空压机。通过气压辅助压电振动的设置，使得聚拢喷射的同时，在压力的提高下能够具有更大的射程，从而增加了与样品表面的可用工作距离，也能够应用于高粘度液体的喷射，适用范围更广。

公开(公告)号：CN111081820B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201911421184.8

申请日：2019-12-31

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  李大庆 ,  邵枫 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO‑黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。

公开(公告)号：CN108414603B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201810081658.8

申请日：2018-01-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 邵枫 ,  曹飞飞 ,  顾晓峰

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于双电层薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法。该湿度传感器包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底上；源电极和漏电极，形成于半导体层的上方或下方，分别对应顶栅顶接触和顶栅底接触结构；栅介质层，形成于源电极、漏电极和半导体层上；以及栅电极，形成于所述栅介质层上；所述栅介质层采用湿度敏感型介电材料。本发明采用顶栅结构，用湿度敏感型栅介质代替传统绝缘栅介质；利用栅介质与空气中水分相互作用所导致的其中质子浓度变化，通过在栅电极施加电压后，半导体与栅介质界面处发生载流子‑离子耦合，形成双电层；可有效控制半导体沟道内的载流子浓度，并使源‑漏电极间的电阻与水分子浓度相关联，实现对环境湿度的有效检测。