-
公开(公告)号：CN106191806A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610557529.2
申请日：2016-07-14
申请人： 江南石墨烯研究院
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0227 , C23C16/0254 , C23C16/513
摘要： 本发明提供了一种高温压电传感器中石墨烯电极的制备方法，包括以下步骤：将预处理过的高温压电传感器的高温压电晶片放入等离子体化学气相沉积腔室中，关闭腔室，启动真空泵；至腔室中的气压降至10-5Torr以下，通入保护气和碳氢化合物气体调节腔室中的压强；启动真空反应炉加热升温，打开等离子体源，恒温沉积，得到石墨烯电极。本发明提供的石墨烯电极的制备方法采用高温压电晶片作为衬底，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术直接在无金属催化的晶片表面生长少层或多层的石墨烯作为电极，石墨烯薄膜与晶片之间附着力好，石墨烯膜的导电性能优异。
-
公开(公告)号：CN110835781A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201810932998.7
申请日：2018-08-16
申请人： 江南石墨烯研究院
摘要： 本发明涉及晶体材料后处理领域，特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定质量比机械球磨，均匀混合后得到复合还原剂；将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中并填充复合还原剂；然后将其置于气氛炉中，在保护气体气氛中，以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2 h；自然冷却后取出即得铌酸锂或钽酸锂黑片。通过本发明制备的铌酸锂或钽酸锂黑片，在不影响压电性能的前提下，电阻率下降了2~3个数量级，热释电效应明显减弱。本发明采用的铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高，适合于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN106191806B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610557529.2
申请日：2016-07-14
申请人： 江南石墨烯研究院
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/02
摘要： 本发明提供了一种高温压电传感器中石墨烯电极的制备方法，包括以下步骤：将预处理过的高温压电传感器的高温压电晶片放入等离子体化学气相沉积腔室中，关闭腔室，启动真空泵；至腔室中的气压降至10‑5Torr以下，通入保护气和碳氢化合物气体调节腔室中的压强；启动真空反应炉加热升温，打开等离子体源，恒温沉积，得到石墨烯电极。本发明提供的石墨烯电极的制备方法采用高温压电晶片作为衬底，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术直接在无金属催化的晶片表面生长少层或多层的石墨烯作为电极，石墨烯薄膜与晶片之间附着力好，石墨烯膜的导电性能优异。
-
公开(公告)号：CN109056076A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810711999.9
申请日：2018-07-03
申请人： 江南石墨烯研究院
CPC分类号： C30B35/007 , C01G33/00 , C30B29/30
摘要： 本发明属于无机材料制备领域，具体涉及一种掺杂铌酸锂前驱体及掺杂铌酸锂多晶料的制备方法，所述方法以氧化石墨烯溶液为分散剂，通过液相合成得到含有氧化石墨烯的掺杂铌酸锂前驱体，再高温煅烧除去氧化石墨烯，得到的掺杂铌酸锂多晶料高纯且混合均匀，且方法简单，适合工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN110835781B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201810932998.7
申请日：2018-08-16
申请人： 江南石墨烯研究院
摘要： 本发明涉及晶体材料后处理领域，特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定质量比机械球磨，均匀混合后得到复合还原剂；将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中并填充复合还原剂；然后将其置于气氛炉中，在保护气体气氛中，以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2 h；自然冷却后取出即得铌酸锂或钽酸锂黑片。通过本发明制备的铌酸锂或钽酸锂黑片，在不影响压电性能的前提下，电阻率下降了2~3个数量级，热释电效应明显减弱。本发明采用的铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高，适合于工业化生产。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.026 秒)