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公开(公告)号：CN106783663B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201611240234.9
申请日：2016-12-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本发明所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
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公开(公告)号：CN105225996B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510600983.7
申请日：2015-09-18
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。
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公开(公告)号：CN106783977A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710007181.4
申请日：2017-01-05
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/331 , H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L29/42356 , H01L29/66325
摘要： 本发明涉及一种用于兼顾IGBT短路能力与开关速度的版图结构，它包括芯片版图底板、栅极跑道、第一栅极槽、第二栅极槽与栅极；在芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道，栅极跑道与栅极相连，在芯片版图底板的上表面开设有若干第一栅极槽，在每两个第一栅极槽之间的芯片版图底板的上表面开设有第二栅极槽，且第一栅极槽均与栅极跑道呈相连设置，第二栅极槽呈浮空设置，且第一栅极槽与第二栅极槽均位于栅极跑道内部。本发明可以有效降低由中间沟槽引起的输入电容与米勒电容，从而提高器件开关速度，降低开关损耗，增大器件可使用频率范围，同时由于有效区域不变，器件的饱和压降并不受影响。
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公开(公告)号：CN106712553A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611255694.9
申请日：2016-12-30
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H02M7/48
摘要： 本发明涉及一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是，包括以下步骤：（1）结合正弦逆变器，根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗Pcond和开关损耗PSW，总损耗Ptotal=Psw+Pcond；（2）根据IGBT热阻测试结果，将热阻等效为局部网络热模型；（3）将损耗到局部网络热模型进行迭代，求出相应条件下的正弦逆变器的功率器件（IGBT）的最大结温和平均结温。本发明能够准确计算结层温度和结温波动，使得在开发的初始阶段，就能够根据所选取的功率器件知道相应的结温和结温波动。
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公开(公告)号：CN108152585A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711444393.5
申请日：2017-12-27
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： G01R23/16
摘要： 本发明公开了一种基于神经网络的自适应谐波检测方法及检测电路。检测方法包括1)得到LMS算法的原始输入和参考输入；2)进行LMS算法计算：3)得到窄带输出和陷波输出。检测电路硬件采样部分，硬件采样部分包括电流检测传感器、二级采样调理电路、MUC和电源模块。电流检测传感器的信号输出端连接二级采样调理电路的信号输入端。二级采样调理电路的信号输出端输入至MCU。电源模块为电流检测传感器、二级采样调理电路、MUC三个部分供电。本发明能够不增加任何硬件采样的成本，仅通过修改软件算法的检测方式，就能够准确提取出逆变器发生的软件谐波，较市面上主流的傅里叶谐波检测方法，具有计算量小，谐波检测精度高的优点。
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公开(公告)号：CN105280538B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510600038.7
申请日：2015-09-18
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/027 , H01L21/8222
摘要： 本发明涉及一种能实现背面精细化光刻的IGBT背面制作方法，其包括如下步骤：a、在晶圆的晶圆正面得到所需的正面元胞结构；b、对晶圆的晶圆背面进行减薄；c、进行初次背面离子注入，并涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、将掩膜版与基准标记进行对准，且利用穿透信号发射装置扫描晶圆上的金属层套刻对位标记；f、对晶圆的位置进行校正，以使得晶圆与掩膜版的精准对位；g、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；h、退火后激活载流子；i、设置背面金属层。本发明能有效实现光刻对位，能对套刻精度进行有效控制，满足IGBT设计的需求，且不受背面图形特征的影响，真正实现背面图形精细化的目标。
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公开(公告)号：CN106712470A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611254701.3
申请日：2016-12-30
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明涉及一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1、原边阻尼电阻R1、多绕组驱动变压器、副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3、推挽电路Q1，Q2、副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2，C3，C4，C5、以及浮地驱动IGBT。所述电路主要元器件按照图1所示的电器连接方式连接，其驱动发生模块与驱动放大模块为该技术领域中的公知技术。本发明能够在不提供二次侧电源的基础上，改善了传统磁隔离驱动电路不能提供负压关断、抗干扰性较弱的技术缺陷。本发明能适应不同的IGBT，提供可靠、低成本的磁隔离驱动方案。
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公开(公告)号：CN105225996A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510600983.7
申请日：2015-09-18
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/682
摘要： 本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。
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公开(公告)号：CN105116184A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510600812.4
申请日：2015-09-18
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： G01R1/36
摘要： 本发明涉及一种IGBT的动态测试闩锁保护电路，其测试器件IGBT2的发射极端通过第二电流互感器U2连接到电源的负极端；保护器件IGBT3的门极端、测试器件IGBT2的门极端均与驱动电路的输出端连接；第一电流互感器U1的输出端与第一检测比较电路连接，第二电流互感器U2的输出端与第二检测比较电路连接，第一检测比较电路的输出端、第二检测比较电路的输出端均与驱动互锁保护电路连接，驱动互锁保护电路的输出端与驱动电路连接；本发明结构紧凑，能在IGBT动态测试出现闩锁时对测试电路以及测试设备进行有效保护，确保测试过程的安全可靠。
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公开(公告)号：CN106783662B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201611240226.4
申请日：2016-12-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/495
摘要： 本发明涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架，栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定距离，耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面作为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面；所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架的部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外，形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚，栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚形成的平面与贴片平面平行。本发明通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
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