公开(公告)号：CN108899362B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201810960335.6

申请日：2018-08-22

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 訾彤彤 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。在第二导电类型基区两侧对称设置第二导电类型区，且此第二导电类型区与发射极连接。本发明其结构紧凑，能有效提高击穿电压，且有效降低关断损耗，与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN110416319B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201910773796.7

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李磊 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种双面肖特基控制的快恢复二极管器件及制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底以及与N型缓冲层，在N型衬底的中心区设置有源区；在二极管器件的截面上，有源区内包括若干呈交替分布的有源P柱与有源N柱，在N型衬底上设置阳极金属，所述有源P柱与N型衬底上的阳极金属欧姆接触，有源N柱与N型衬底上的阳极金属肖特基接触；在N型缓冲层上设置若干交替分布的阴极P‑区以及阴极N+区，所述阴极N+区与阴极金属欧姆接触，阴极P‑区与阴极金属肖特基接触。本发明能获得较快的反向恢复时间，减少动态损耗，提高优软度，可靠性高。

公开(公告)号：CN110504306B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201910773778.9

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 訾彤彤 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10

摘要： 本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件，尤其是一种具有可调电容的沟槽栅IGBT器件，属于沟槽栅IGBT器件的技术领域。在元胞沟槽内填充电容多晶硅体、电介质体以及栅极多晶硅，通过电容多晶硅体、栅极多晶硅以及电介质体能形成电容结构，电介质体的厚度可调，从而能调节得到不同大小的电容，即相当于在IGBT器件的栅电极与发射极之间串联一个电容，从而能降低电容Cge的大小；设计灵活，兼顾大电流密度和小寄生电容，有利于提高尤其是大功率IGBT的工作频率，降低开关损耗。

公开(公告)号：CN115084233A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210860597.1

申请日：2022-07-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  孔凡标 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种功率器件用复合终端结构。其包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底内的JTE横向终端扩展结构，所述JTE横向终端扩展结构包括第二导电类型JTE区；在所述终端结构的截面图上，在第二导电类型JTE区内设置若干截断型沟槽，所述截断型沟槽沿第一导电类型衬底中心指向所述第一导电类型衬底外圈边缘方向依次排布，截断型沟槽在第一导电类型衬底的深度大于第二导电类型JTE区的结深；在任一截断型沟槽内均设置低介电绝缘填充体，所述低介电绝缘填充体填满所在的截断型沟槽。本发明有效改善终端受外界电荷的影响，提高终端耐压的可靠性。

公开(公告)号：CN114975620A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210607268.6

申请日：2022-05-31

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲锋 ,  孔凡标 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种低输入电容的沟槽型IGBT器件及制备方法。其对任一元胞，均包括两个呈长条状的元胞沟槽，在沿元胞沟槽的长度方向上，在元胞沟槽内设置若干槽内发射极导电多晶硅，所述槽内发射极导电多晶硅从元胞沟槽的槽口向元胞沟槽的底部方向延伸，且槽内发射极导电多晶硅通过多晶硅间介质层所在区域的栅极导电多晶硅绝缘隔离；在元胞沟槽间相互邻近的外侧壁上设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区沿元胞沟槽的长度方向分布，槽内发射极导电多晶硅在元胞沟槽内的底部位于第一导电类型源区的底部的下方。本发明在不影响米勒电容下，降低了输入电容，有效的降低了器件的开关损耗。

公开(公告)号：CN110444533B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910773763.2

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  姜梅 ,  张金平

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

摘要： 本发明涉及一种防静电IGBT模块结构，其包括封装壳体以及封装在所述封装壳体内的IGBT器件IGBT1与IGBT器件IGBT2；IGBT器件IGBT1的集电极端与IGBT器件IGBT2的发射极连接；IGBT器件IGBT1栅极连接端子与IGBT器件IGBT1发射极连接端子间通过第一TVS管连接，IGBT器件IGBT2栅极连接端子与IGBT器件IGBT2发射极连接端子间通过第二TVS管连接，通过第一TVS管、第二TVS管分别与IGBT器件IGBT1、IGBT器件IGBT2配合，能有效实现对IGBT模块的静电防护，避免在测试、运输和应用过程中避免受到静电损伤，安全可靠。

公开(公告)号：CN110444586A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910773364.6

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  许生根 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种具有分流区的沟槽栅IGBT器件及制备方法，其在元胞沟槽槽底的正下方设置第二导电类型分流区，所述第二导电类型分流区包覆元胞沟槽的槽底；在元胞沟槽内填充有发射极金属以及栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅在元胞沟槽内位于发射极金属的外圈，发射极金属通过金属绝缘隔离体与栅极导电多晶硅绝缘隔离，栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层与所在元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，填充在元胞沟槽内的发射极金属与所在元胞沟槽槽底下方的第二导电类型分流区欧姆接触。本发明能有效提升抗闩锁能力以及耐压能力，减小米勒电容，有效提高IGBT器件的开关效率，减低开关损耗。

公开(公告)号：CN109192774A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811038235.4

申请日：2018-09-06

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种栅极双箝位的IGBT器件，其包括设置于栅电极区内的栅极电压箝位结构，所述栅极电压箝位结构包括位于栅极金属层正下方的第三掺杂区、位于所述第三掺杂区内的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区的第一掺杂区；第一掺杂区位于第一导电类型漂移区内，第一掺杂区的掺杂类型与第三掺杂区的掺杂类型相一致，第一掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型不同；第一掺杂区与栅极金属层欧姆接触，第三掺杂区与发射极金属欧姆接触。本发明结构紧凑，降低IGBT器件的栅电极被正负栅压过高尖峰的影响，避免出现栅压过高时短路电流急剧增大而导致IGBT器件的烧毁，安全可靠。

公开(公告)号：CN107818916A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711017467.7

申请日：2017-10-26

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 金锐 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L21/285

摘要： 本发明涉及一种压接式IGBT器件正面压接金属电极结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的IGBT晶圆；步骤2、将金属淀积基片键合在连接金属电极层上；步骤3、在上述金属淀积基片上方淀积所需的金属，所述淀积的金属通过金属淀积图形与连接金属电极层电连接；步骤4、将金属淀积基片与连接金属电极层分离；步骤5、在上述IGBT晶圆正面制备所需的钝化层。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，能有效实现压接式IGBT器件正面上压接金属电极层的制备，可以省掉压接式IGBT器件上压接金属电极层的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。

公开(公告)号：CN107706109A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711017441.2

申请日：2017-10-26

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 金锐 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC-IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC-IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。