一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法

    公开(公告)号:CN106024675A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610319777.3

    申请日:2016-05-13

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/306

    CPC分类号: H01L21/67086 H01L21/30604

    摘要: 本发明涉及微电子加工技术领域,特别是涉及一种半导体硅晶片腐蚀液,是由硝酸、氢氟酸和冰乙酸按照体积比为4~14:4~14:6~18混合而成。将半导体硅晶片放置于盛有腐蚀液的密闭容器中,在低温条件下进行腐蚀。本发明通过调节硝酸和氢氟酸的不同的配比来应对不同的腐蚀需求。在低温条件下可以有效地控制半导体硅晶片的腐蚀速度和腐蚀深度以及腐蚀过后的硅晶片表面的洁净度。因为在低温环境下,腐蚀速率会低于常温环境,则更容易控制硅晶片腐蚀的均匀性。本发明组成简单,原料易得,成本较低,非常适用于半导体微电子的工业化生产。

    制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法

    公开(公告)号:CN105870002A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610321787.0

    申请日:2016-05-13

    IPC分类号: H01L21/223

    CPC分类号: H01L21/2225 H01L21/223

    摘要: 本发明涉及半导体晶片制造领域,特别是一种制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法,包括以下步骤,将硅片放入密闭的高温扩散炉中,向高温扩散炉中通入氮气和磷源,使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应,还原出杂质原子并向硅片内部扩散,从而使得硅片上、下表面的杂质浓度和杂质扩散结深得到控制。本发明利用氮气携带磷源进行磷源气态扩散,采用对硅片的上、下表面同时通气的方法,使得硅晶片上、下表面进行扩散形成PN结,有效地控制半导体硅片最外层表面的杂质浓度和杂质扩散结深,以达到硅晶片正反方向击穿电压一致,保证了半导体电压瞬变双向保护器件的晶片的质量和良率。

    半导体硅晶片的表面钝化方法

    公开(公告)号:CN105931958A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610313607.4

    申请日:2016-05-13

    IPC分类号: H01L21/306

    CPC分类号: H01L21/30604

    摘要: 本发明涉及微电子加工技术领域,特别是涉及一种半导体硅晶片表面钝化方法,包括以下步骤:(1)选用P型硅作衬底,经制绒抛光,杂质源扩散制成上、下表面均具有PN结的硅晶片;(2)将硅晶片用腐蚀液腐蚀出若干沟槽;(3)将硅晶片光刻保护至只有沟槽裸露;(4)将硅晶片置于密闭的氧化炉内,向氧化炉内通入高纯氧,直至所有沟槽的外表面均形成一层厚度为10000~15000埃的氧化保护膜。本发明可以将硅晶片暴露在高纯氧中,在沟槽外表面生长的氧化膜结构致密、均匀性好、重复性好、掩蔽能力强且钝化效果较好。

    二极管料排冲切装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205735284U

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201620381867.0

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: B26F1/38 B26D7/18

    摘要: 本实用新型涉及二极管料排冲切装置,包括底座、压板、支撑机构、冲切机构、排料机构和安装座,所述压板设置在底座的正上方并通过支撑机构与底座相连,安装座和排料机构固定在底座上,所述排料机构位于安装座的一侧,冲切机构固定在底座上并正对着安装座。本实用新型具有结构简单,操作方便,能提高工作效率和产品质量等特点。

    二极管芯片用远红外鼓风干燥箱

    公开(公告)号:CN205747874U

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201620381975.8

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: F26B21/00

    摘要: 本实用新型涉及二极管芯片用远红外鼓风干燥箱,包括箱体、设置在箱体内的物料架、多个设置在箱体内壁的远红外元件以及设置在箱体外的鼓风机,所述箱体设有进风口与出风口,所述鼓风机设有送风管路与抽风管路,所述送风管路与进口风连接,所述抽风管路与出风口连接,所述抽风管路内设有干燥装置,采用上述结构后,二极管芯片放置在物料架上后,远红外元件对二极管芯片进行加热,同时鼓风机送风,对二极管进行干燥操作,本实用新型结构简单合理,远红外元件保证加热的均匀性,抽风管路的干燥装置保证了鼓风机送风时风的干燥,提高了干燥效率。

    二极管用芯片扩片机
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205723492U

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201620386923.X

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: H01L21/78 H01L33/00

    摘要: 本实用新型涉及二极管用芯片扩片机,包括机架、设置在机架内的上推装置、与上推装置传动连接的下压模、下推装置、与下推装置传动连接的上压模以及设置在机架上端的压环,所述下压模包括基座、定块以及与上压模对应的动块,所述基座设有凹槽,所述定块固定在凹槽内,所述凹槽内设有弹簧,所述动块设置在弹簧上,所述上压模下端设有上端刃,所述定块的上端设有与上端刃对应的下端刃,采用上述结构后,本实用新型结构简单合理,操作方便,在扩片之后能直接对膜片进行裁切,提高了生产效率。

    二极管导针排向机
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205752107U

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201620381972.4

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: H01L21/60 H01L21/677

    摘要: 本实用新型涉及二极管导针排向机,包括机架,机架上设有依次相连的上料机、导料板、分料板、平振板和斜振板,斜振板的下方设有石墨舟,所述分料板的上端面与导料板的下端面连接,平振板的上端面与分料板的下端面连接,分料板上设有收料装置,所述机架上设有用于安装石墨舟的支撑装置。本实用新型具有防止二极管导针堆积在设备上,能够大大提高工作效率等特点。

    二极管用烘箱
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205718246U

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201620383382.5

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: F26B9/06 F26B23/06 F26B25/02

    摘要: 本实用新型涉及二极管用烘箱,包括箱体和输送装置,所述输送装置沿水平方向贯穿于箱体,输送装置的两端位于箱体外侧形成进料端和出料端,所述箱体内部分为独立的烘干室和冷却室,烘干室内壁上设有多个导热片,而在烘干室内壁的夹层内设有保温层,箱体上设有与烘干室连通的加热风口以及与冷却室连通的冷却风口,加热风口上设有进风管,管口设有栅板,管内设有加热器。本实用新型具有烘干效率高,产品合格率高等特点。

    二极管用芯片点胶机
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205673143U

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201620386950.7

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: B05C5/02 B05C11/10

    摘要: 本实用新型涉及二极管用芯片点胶机,包括工作平台、点胶针板、多个设置在点胶针板上的点胶针以及用于控制点胶针板移动的多向行走机构,所述工作平台上设有胶水框、芯片框以及料片框,采用上述结构后,工作平台上设置有用于放置胶水的胶水框、放置芯片的芯片框以及放置料片的料片框,点胶针板在多向行走机构的控制下,首先在胶水框内用点胶针粘胶,然后升起并移动至料片上方再下降,对料片进行点胶操作,然后在移动至芯片上方并下降,点胶针通过针头残留的胶水将芯片粘起,最后将芯片转移至料片上,完成点胶工作,一步到位地将芯片安装在了料片上,提高了生产效率,降低了生产成本。

    二极管带封边装置
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205752245U

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201620381988.5

    申请日:2016-04-29

    IPC分类号: H01L33/52 H01L33/54

    摘要: 本实用新型涉及二极管带封边装置,包括底座、机壳、安装座、连接板、切刀和注胶装置,所述切刀设置在连接板的下方并通过第一滑动机构与连接板连接,而连接板通过第二滑动机构连接在机壳上,安装座设置于底座上并位于切刀的下方,安装座上设有与切刀相对应的安装槽,底座上还设有与连接板连接的升降装置。本实用新型具有结构简单,使用方便,工作效率高等特点。