一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置

    公开(公告)号:CN110963696B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201911343459.0

    申请日:2019-12-24

    IPC分类号: C03B37/014 C03B37/018

    摘要: 本发明涉及一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置,包括从上往下依次设置的抽风管、一级缓冲室、二级缓冲室、沉积腔室,沉积腔室底部设置有进风口,沉积芯棒和沉积喷灯设置在沉积腔室内部,沉积腔室为屋型:上部为梯形、下部为方型、顶部与二级缓冲室狭缝对接;二级缓冲室下部为倒梯形;一级缓冲室为圆管型,端面设置补风管,补风管上设置补风阀用于调节补风管的开合大小,一级缓冲室通过多个轴向并排分布的二级分管与二级缓冲室上下连通;抽风管通过两个弧形管左右对称的与所述一级缓冲室连通。本申请提高了沉积腔室内气流沿沉积芯棒轴向分布均匀性,稳定沉积腔室内的气压,提高喷灯火焰对沉积芯棒的包裹面积,提高SiO2粉末的收集率。

    一种细直径耦合器用980光纤

    公开(公告)号:CN110873925A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910973533.0

    申请日:2019-10-14

    IPC分类号: G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种小直径耦合器用光纤,包括有芯层、包层、涂覆层,芯层为掺锗Ge的二氧化硅石英玻璃层,所述芯层的直径D1为3.5-5μm,芯层与内包层的折射率差Δn1为0.014-0.017;所述包层分为内包层和外包层,内包层紧密环绕芯层,为锗、氟、磷共掺的二氧化硅石英玻璃层,内包层与外包层纯石英的折射率差Δ2为-0.0002-0,直径D2为5-15μm;外包层为纯石英层,厚度D3为79-81μm;涂覆层的厚度为160-190μm。本发明采用内包层和外包层的折射率基本一致的结构设计,光纤间的耦合为利用单模光纤间消逝场相互耦合的机理,熔融拉锥工艺使一根光纤内的一部分光耦合到另一根光纤中,实现特定分光比,从而减少信号光由于折射率波动造成的损失,达到降低光纤熔融拉制过程中附加损耗。

    一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置

    公开(公告)号:CN110963696A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911343459.0

    申请日:2019-12-24

    IPC分类号: C03B37/014 C03B37/018

    摘要: 本发明涉及一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置,包括从上往下依次设置的抽风管、一级缓冲室、二级缓冲室、沉积腔室,沉积腔室底部设置有进风口,沉积芯棒和沉积喷灯设置在沉积腔室内部,沉积腔室为屋型:上部为梯形、下部为方型、顶部与二级缓冲室狭缝对接;二级缓冲室下部为倒梯形;一级缓冲室为圆管型,端面设置补风管,补风管上设置补风阀用于调节补风管的开合大小,一级缓冲室通过多个轴向并排分布的二级分管与二级缓冲室上下连通;抽风管通过两个弧形管左右对称的与所述一级缓冲室连通。本申请提高了沉积腔室内气流沿沉积芯棒轴向分布均匀性,稳定沉积腔室内的气压,提高喷灯火焰对沉积芯棒的包裹面积,提高SiO2粉末的收集率。

    一种细直径耦合器用980光纤

    公开(公告)号:CN110873925B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201910973533.0

    申请日:2019-10-14

    IPC分类号: G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种小直径耦合器用光纤,包括有芯层、包层、涂覆层,芯层为掺锗Ge的二氧化硅石英玻璃层,所述芯层的直径D1为3.5‑5μm,芯层与内包层的折射率差Δn1为0.014‑0.017;所述包层分为内包层和外包层,内包层紧密环绕芯层,为锗、氟、磷共掺的二氧化硅石英玻璃层,内包层与外包层纯石英的折射率差Δ2为‑0.0002‑0,直径D2为5‑15μm;外包层为纯石英层,厚度D3为79‑81μm;涂覆层的厚度为160‑190μm。本发明采用内包层和外包层的折射率基本一致的结构设计,光纤间的耦合为利用单模光纤间消逝场相互耦合的机理,熔融拉锥工艺使一根光纤内的一部分光耦合到另一根光纤中,实现特定分光比,从而减少信号光由于折射率波动造成的损失,达到降低光纤熔融拉制过程中附加损耗。

    一种单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN111694088A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010406925.1

    申请日:2019-09-29

    摘要: 一种单模光纤及其制备方法,裸光纤包括芯层和包层,芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层,第一芯层相对折射率差值为0.2%≤Δ1≤0.35%,第二芯层相对折射率差值为0.15%≤Δ2≤0.25%,内包层折射率半径为24μm~36μm,内包层相对折射率差值为-0.12%≤Δ3≤0%。包层,包括凹陷包层和外包层,凹陷包层相对折射率差值为-0.40%≤Δ4≤-0.28%,外包层为高硬度纯石英套管。采用两级套管与芯棒在线组装拉丝的方法,在拉丝过程中进行多次光纤退火,在光纤表面内涂低模量、外涂高模量的涂层,制备低损耗大有效面积高强度光纤。方法简单,芯棒可根据需求进行粘度调整,无需采用纯硅芯方案来降低光纤衰减,有利于规模化生产。

    一种单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN111694088B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202010406925.1

    申请日:2019-09-29

    摘要: 一种单模光纤及其制备方法,裸光纤包括芯层和包层,芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层,第一芯层相对折射率差值为0.2%≤Δ1≤0.35%,第二芯层相对折射率差值为0.15%≤Δ2≤0.25%,内包层折射率半径为24μm~36μm,内包层相对折射率差值为‑0.12%≤Δ3≤0%。包层,包括凹陷包层和外包层,凹陷包层相对折射率差值为‑0.40%≤Δ4≤‑0.28%,外包层为高硬度纯石英套管。采用两级套管与芯棒在线组装拉丝的方法,在拉丝过程中进行多次光纤退火,在光纤表面内涂低模量、外涂高模量的涂层,制备低损耗大有效面积高强度光纤。方法简单,芯棒可根据需求进行粘度调整,无需采用纯硅芯方案来降低光纤衰减,有利于规模化生产。

    一种单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110794509B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201910933109.3

    申请日:2019-09-29

    摘要: 一种单模光纤及其制备方法,裸光纤包括芯层和包层,芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层,第一芯层相对折射率差值为0.2%≤Δ1≤0.35%,第二芯层相对折射率差值为0.15%≤Δ2≤0.25%,内包层折射率半径为24μm~36μm,内包层相对折射率差值为‑0.12%≤Δ3≤0%。包层,包括凹陷包层和外包层,凹陷包层相对折射率差值为‑0.40%≤Δ4≤‑0.28%,外包层为高硬度纯石英套管。采用两级套管与芯棒在线组装拉丝的方法,在拉丝过程中进行多次光纤退火,在光纤表面内涂低模量、外涂高模量的涂层,制备低损耗大有效面积高强度光纤。方法简单,芯棒可根据需求进行粘度调整,无需采用纯硅芯方案来降低光纤衰减,有利于规模化生产。

    一种单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110794509A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201910933109.3

    申请日:2019-09-29

    摘要: 一种单模光纤及其制备方法,裸光纤包括芯层和包层,芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层,第一芯层相对折射率差值为0.2%≤Δ1≤0.35%,第二芯层相对折射率差值为0.15%≤Δ2≤0.25%,内包层折射率半径为24μm~36μm,内包层相对折射率差值为-0.12%≤Δ3≤0%。包层,包括凹陷包层和外包层,凹陷包层相对折射率差值为-0.40%≤Δ4≤-0.28%,外包层为高硬度纯石英套管。采用两级套管与芯棒在线组装拉丝的方法,在拉丝过程中进行多次光纤退火,在光纤表面内涂低模量、外涂高模量的涂层,制备低损耗大有效面积高强度光纤。方法简单,芯棒可根据需求进行粘度调整,无需采用纯硅芯方案来降低光纤衰减,有利于规模化生产。