公开(公告)号：CN111200060A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811378263.0

申请日：2018-11-19

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 许开东 ,  车东晨 ,  胡冬冬 ,  崔虎山 ,  刘自明 ,  琚里 ,  孙宏月 ,  陈璐

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开一种高密度磁隧道结制造方法，包括以下步骤：形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；利用含研磨颗粒的可自我修复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗去除表面颗粒及残留物。本发明能够实现无损、无盲区的去除磁性隧道结侧壁的黏附层和损伤层，获得形貌陡直的侧壁，有效提高器件性能。

公开(公告)号：CN111146334A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201811298680.4

申请日：2018-11-02

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 车东晨 ,  刘自明 ,  蒋中原 ,  王珏斌 ,  崔虎山 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  邹志文 ,  孙宏月 ,  许开东

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开一种磁隧道结制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，利用反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室和镀膜腔室相结合对磁性隧道结进行刻蚀、清洗和镀膜保护。本发明能够有效降低器件损伤和沾污，避免过刻造成的影响，提高器件性能，同时能够精确控制刻蚀图形的陡直度，获得满足性能需求的图形结果。

公开(公告)号：CN111146335A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201811298686.1

申请日：2018-11-02

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 刘自明 ,  王珏斌 ,  蒋中原 ,  车东晨 ,  崔虎山 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  孙宏月 ,  韩大健 ,  许开东

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤，在上述过程需多次进出各腔室，各腔室间的传递均在真空状态下进行。本发明能够克服高密度的小器件生产的瓶颈，拓宽刻蚀反应气体的可选择范围，减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，同时能够大幅提高器件的良率、可靠性，制造方法简单、快捷。

公开(公告)号：CN111200060B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201811378263.0

申请日：2018-11-19

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 许开东 ,  车东晨 ,  胡冬冬 ,  崔虎山 ,  刘自明 ,  琚里 ,  孙宏月 ,  陈璐

IPC分类号： H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  H10N50/10

摘要： 本发明公开一种高密度磁隧道结制造方法，包括以下步骤：形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；利用含研磨颗粒的可自我修复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗去除表面颗粒及残留物。本发明能够实现无损、无盲区的去除磁性隧道结侧壁的黏附层和损伤层，获得形貌陡直的侧壁，有效提高器件性能。

公开(公告)号：CN111195852B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201811376951.3

申请日：2018-11-19

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 许开东 ,  车东晨 ,  胡冬冬 ,  崔虎山 ,  刘自明 ,  琚里 ,  孙宏月 ,  陈璐

IPC分类号： B24B29/02

摘要： 本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。

公开(公告)号：CN111146336A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201811298691.2

申请日：2018-11-02

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 胡冬冬 ,  王珏斌 ,  蒋中原 ,  刘自明 ,  车东晨 ,  崔虎山 ,  陈璐 ,  任慧群 ,  孙宏月 ,  许开东

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。

公开(公告)号：CN111195852A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811376951.3

申请日：2018-11-19

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 许开东 ,  车东晨 ,  胡冬冬 ,  崔虎山 ,  刘自明 ,  琚里 ,  孙宏月 ,  陈璐

IPC分类号： B24B29/02

摘要： 本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。