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公开(公告)号：CN116773060A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210221682.3
申请日：2022-03-09
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明涉及一种薄膜压力传感器高抗电绝缘层及其制备方法，是在金属弹片表面交替沉积氧化硅层和氮化硅层，要确保叠层结构的首层为氧化硅，终结膜层为氮化硅；氧化硅层、氮化硅层的厚度范围均为50‑2000nm；金属弹片为不锈钢衬底、铝衬底、铜衬底、钽衬底以及各种合金衬底。在沉积氧化硅薄膜之前，金属表面沉积缓冲层；所述的缓冲层的材料是诸如钛、氮化钛、铬、镍之单质金属层，厚度为3nm‑100nm之间。本发明根据传感器绝缘层抗电性能要求的高低调整氧化硅/氮化硅叠层层数，可实现高致密、厚度可调节的薄膜压力传感器绝缘层。
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公开(公告)号：CN114196945A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111540413.5
申请日：2021-12-16
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，包括以下步骤：S1、将晶圆通过传输机构输送至PECVD腔室内并进行预加热；S2、向PECVD腔室内通入工艺气体中副反应气体，并维持PECVD腔室内腔压稳定；S3、开启射频电源并保持第一预定时间，直至PECVD腔室内等离子体处于稳定状态；S4、向PECVD腔室内通入工艺气体中主反应气体，开始沉积薄膜直至预定厚度，关闭主反应气体；S5、将射频电源接通状态继续维持第二预定时间后关闭，同时关闭副反应气体。本发明实施例的减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，通过优化工艺反应气体进入PECVD腔室顺序、以及射频开启顺序来减少PECVD在沉积薄膜过程中产生的颗粒，对于减少薄膜表面颗粒的产生效果十分显著。
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公开(公告)号：CN113445028A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010228410.7
申请日：2020-03-27
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种在III‑V衬底上沉积高粘附性薄膜的机台及其工艺，包括主腔室，在主腔室的顶部设置支撑座，主腔室的底部安装升降装置，升降装置与支撑座相对设置，且在升降装置与支撑座相对的位置安装载片台；支撑座呈U型，在其U型凹槽内嵌设催化丝，主腔室的一侧分别开设第一进气口和抽气口，其中第一进气口用于通入反应气体，抽气口与泵体连接相通；主腔室的另一侧开设第二进气口，其与远程等离子发生气模块连通；本发明装置可以保证工艺质量的同时，提高腔室的洁净度。
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公开(公告)号：CN113126190A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110321122.0
申请日：2021-03-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： G02B5/08 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法，所述分布式布拉格反射镜由含硅材料与α‑Si交替沉积形成叠层结构，含硅材料膜层与α‑Si膜层间设置3~15nm含硅材料与α‑Si的杂化膜层。该分布式布拉格反射镜通过等离子体增强化学气相沉积方法制备，依次沉积α‑Si膜层、含硅材料膜层，并在含硅材料膜层上沉积α‑Si膜层前期1~4s通入10~100%含硅材料反应气体，形成含硅材料与α‑Si的杂化膜层。所述杂化膜层在不影响膜层折射率的前提下，提高周期性叠加的α‑Si膜层与含硅材料膜层间粘附性。
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公开(公告)号：CN111200060A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811378263.0
申请日：2018-11-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种高密度磁隧道结制造方法，包括以下步骤：形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；利用含研磨颗粒的可自我修复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗去除表面颗粒及残留物。本发明能够实现无损、无盲区的去除磁性隧道结侧壁的黏附层和损伤层，获得形貌陡直的侧壁，有效提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115376875A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110547638.7
申请日：2021-05-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种样品托盘及其使用方法，该托盘包括具有腔室的托盘本体，所述腔室通过进气孔、排气孔与外部连通，所述进气孔的出气端朝向所述排气孔的设置，所述进气孔靠近所述排气孔一端的截面积大于所述排气孔远离所述进气孔一端的截面积。使用时，在所述托盘上加入样品，将所述托盘置于匀气盘和载片台之间，并将进气孔与载片台上的气孔连接，通入惰性气体后即可进行刻蚀或沉积作业。本发明基于伯努利原理，设计了可以与外界形成压差的中空托盘，通气后利用压差吸住样品，减少了样品的压片装置、元件的使用，并通过惰性气体的流动实现精准控温，从而提高了刻蚀效果的均匀性、整体性。
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公开(公告)号：CN114411121A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111514671.6
申请日：2021-12-13
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/46 , H01L51/40 , H01L51/48 , H01L51/56 , H01L51/10 , H01L51/44 , H01L51/52
摘要： 本发明公开了一种制备分布式阻挡层的方法和分布式阻挡层，在电感耦合等离子体增强化学气相沉积的反应腔室内的衬底上由下至上依次沉积第一膜层、第二膜层和第一膜层，在依次沉积每个所述膜层之前分别通入NH3与N2的混合气体进行等离子体处理。根据本发明实施例的制备分布式阻挡层的方法，通过在衬底上制备出分布式阻挡层，可以有效地阻挡水汽和氧气，而且通过通入NH3与N2的混合气体进行等离子体处理可以提高分布式阻挡层和衬底之间、以及各个膜层之间的粘附性和致密性，进而提高水汽和氧气的阻挡性及光学稳定性。
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公开(公告)号：CN113451122A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010228912.X
申请日：2020-03-27
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及一种在III‑V衬底上沉积高粘附性薄膜的方法，该方法结合低温薄膜沉积和中高温退火两种工艺，解决了后续在器件切割时无法通过蓝膜工序的问题。粘附性较差的氧化硅、氮化硅等薄膜会在蓝膜工序中粘在蓝膜后会被从器件表面中撕下来。同时，也解决了在金属溅射以后的退火过程之前减少了薄膜中的氢含量，避免了金属层鼓泡问题。
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公开(公告)号：CN113293359A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010110843.2
申请日：2020-02-24
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/505
摘要： 本发明涉及一种可分区控制进气流量及比例的PECVD匀气装置，包括上层进气圆盘、中层匀气圆盘、下层匀气圆盘，其中：三个圆盘依次上、中、下相叠，上层进气圆盘与下层匀气圆盘的接触面之间具有凸墙‑凹槽配合连接结构，上层进气圆盘与下层匀气圆盘的接触面之间通过螺丝与螺孔配合固定连接；三个圆盘均分中心环、次内环、外环三圈，三个圆盘上中心环轴向形成的区域为中心匀气，三个圆盘上次内环轴向形成的区域为中间匀气，三个圆盘上外环轴向形成的区域为边缘匀气，中心匀气、中间匀气以及边缘匀气均同轴；本发明将匀气装置分为三个独立进气的区域即中心匀气、中间匀气、边缘匀气，通过调节每个进气区域的进气量以及进气比例来获得更为均匀的薄膜。
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