-
公开(公告)号：CN113451122A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010228912.X
申请日：2020-03-27
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及一种在III‑V衬底上沉积高粘附性薄膜的方法，该方法结合低温薄膜沉积和中高温退火两种工艺，解决了后续在器件切割时无法通过蓝膜工序的问题。粘附性较差的氧化硅、氮化硅等薄膜会在蓝膜工序中粘在蓝膜后会被从器件表面中撕下来。同时，也解决了在金属溅射以后的退火过程之前减少了薄膜中的氢含量，避免了金属层鼓泡问题。
-
公开(公告)号：CN110643970A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910981191.7
申请日：2019-10-16
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种从III-V材料上，如III-V衬底或者和其之上形成的III-V器件结构，镀高粘附性薄膜的方法，具体是在PECVD反应腔室内采用非反应惰性气体等离子轰击III-V衬底及III-V器件结构，以去除III-V材料上的自然氧化层（如氧化铟、氧化镓等），然后再进行PECVD方式镀膜；所述非反应惰性气体选自氩气（Ar）、氦气（He）、氙气（Xe）、氖气（Ne）或氢气（H）2。本发明通过非反应惰性气体的等离子轰击，在不破真空环境下有效去除III-V自然氧化层，然后完成镀膜从而杜绝薄膜粘附性的问题。
-
公开(公告)号：CN113445028A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010228410.7
申请日：2020-03-27
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种在III‑V衬底上沉积高粘附性薄膜的机台及其工艺，包括主腔室，在主腔室的顶部设置支撑座，主腔室的底部安装升降装置，升降装置与支撑座相对设置，且在升降装置与支撑座相对的位置安装载片台；支撑座呈U型，在其U型凹槽内嵌设催化丝，主腔室的一侧分别开设第一进气口和抽气口，其中第一进气口用于通入反应气体，抽气口与泵体连接相通；主腔室的另一侧开设第二进气口，其与远程等离子发生气模块连通；本发明装置可以保证工艺质量的同时，提高腔室的洁净度。
-
公开(公告)号：CN111162164A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811325919.2
申请日：2018-11-08
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L43/12
摘要： 本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理，并进行镀膜保护。通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。
-
公开(公告)号：CN111146336A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811298691.2
申请日：2018-11-02
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。
-
公开(公告)号：CN109502575B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811597700.8
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开了一种化学气相淀积制备大面积石墨烯的方法，属于石墨烯制备技术领域。首先在表面清洁的衬底上外延生长异质衬底，并对外延生长异质衬底进行退火；然后向CVD腔体内通入碳源后进行退火操作，在所述异质衬底的表面生长得到石墨烯；最后在氢气及惰性气体氛围中冷却至室温，得到大面积石墨烯。本发明提高了石墨烯的成核密度，增加了石墨烯的生长速度，实现了石墨烯大规模商业化应用。
-
公开(公告)号：CN109628911A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811597699.9
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/44 , C23C16/513
摘要： 本发明公开了一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法，属于集成电路制造技术领域。通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后，增加“加热”步骤，对整个腔体环境进行改善；所述“加热”步骤为提高CVD设备腔体环境温度。本发明适用于采用等离子体沉积介质薄膜工艺，通过工艺的优化和改进可以明显消除等离子体化学气相淀积系统的首片效应。本发明效率高，节省成本，可以有效地消除CVD设备淀积薄膜的首片效应，有利于提高工艺的稳定性和片间厚度均匀性。
-
公开(公告)号：CN109502575A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811597700.8
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开了一种化学气相淀积制备大面积石墨烯的方法，属于石墨烯制备技术领域。首先在表面清洁的衬底上外延生长异质衬底，并对外延生长异质衬底进行退火；然后向CVD腔体内通入碳源后进行退火操作，在所述异质衬底的表面生长得到石墨烯；最后在氢气及惰性气体氛围中冷却至室温，得到大面积石墨烯。本发明提高了石墨烯的成核密度，增加了石墨烯的生长速度，实现了石墨烯大规模商业化应用。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.025 秒)
