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公开(公告)号：CN113737155A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010474933.X
申请日：2020-05-29
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及一种提高PECVD清洗效率的腔体内衬装置，其安装于腔体内，该装置包括陶瓷环和内衬，陶瓷环嵌套于内衬上方，陶瓷环、内衬、腔壁三者之间形成环形抽气通道，其中，陶瓷环一周均匀分布若干个抽气小孔；内衬包括轴向抽气通道，轴向抽气通道设于内衬外侧，环形抽气通道与轴向抽气通道之间连通；本发明解决腔体内壁和腔体底部等离子体不能到达的位置无法清洗彻底问题，内衬装置可以缩小腔体空间，保证清洗等离子体覆盖腔体内壁和底部，在陶瓷环一圈设若干抽气小孔，保证了腔体形成均匀分布反应气体，且陶瓷环起到绝缘的作用，本发明对抽气小孔在腔体的相对高度的把控，保证了清洗效果及沉积薄膜质量。
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公开(公告)号：CN110610895A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910932527.0
申请日：2019-09-29
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/20
摘要： 本发明公开了一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体，所述弹簧顶针机构包括沿针孔从平台上端面伸出缩回的顶针；还包括导向管、弹簧和底座；所述导向管包括若干沿圆周方向间隔布置在平台下端面的圆弧导向板，所述若干圆弧导向板均与一个针孔同轴；所述底座上设置有若干圆弧通槽；每个圆弧通槽滑动套装在一个圆弧导向板外；所述顶针的下端固定在底座中心上；所述弹簧位于所述底座的上端面与平台下端面之间；当顶针从平台上端面伸出，弹簧处于压缩状态。本发明的顶针始终保持与平台的垂直，不会产生转动偏斜卡涩的问题，无需考虑针孔与顶针的配合间隙，保证顶针在针孔内伸缩顺畅；同时保证顶针能够从平台上端面缩回，防止顶针下落不到位。
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公开(公告)号：CN110544615A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910800375.9
申请日：2019-08-28
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括反应腔室、位于反应腔室上的法拉第屏蔽装置和进气喷嘴；所述进气喷嘴穿过法拉第屏蔽装置向反应腔室通入工艺气体；所述进气喷嘴是导电材质，且进气喷嘴与法拉第屏蔽装置导电连接。本发明通过导电材质的进气喷嘴与法拉第屏蔽装置导电连接，进行清洗工艺时，进气喷嘴投影区域的清洗工艺反应气体也发生电离，清洗工艺反应气体在介质窗下方整个区域形成电容耦合等离子体，能够对进气喷嘴周围区域的介质窗进行清洗，实现了对介质窗内壁的全方位清洗，降低等离子体处理系统的故障率。
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公开(公告)号：CN110544615B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910800375.9
申请日：2019-08-28
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀系统，属于半导体刻蚀技术领域，包括反应腔室和置于反应腔室上的介质窗；还包括刻蚀工艺时用于遮挡介质窗内表面的绝缘材质的阻挡片；反应腔室上设置有晶圆传输口；等离子体刻蚀系统还包括用于输送晶圆从晶圆传输口进出反应腔室的传输系统；实现了通过遮挡介质窗内表面的绝缘材质的阻挡片，阻隔颗粒吸附介质窗内表面，防止介质窗下表面在刻蚀工艺时的污染；并且阻挡片可通过顶升装置及传输系统，进出真空状态下的反应腔室，可以方便的将阻挡片取出反应腔室，进行清洗或更换后再装回继续使用，相对于拆除清洗介质窗，极大程度的减少了设备的停机时间，且操作方便快捷，提高了设备工作效率。
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