-
公开(公告)号：CN103014872A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210532101.4
申请日：2012-12-12
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种太阳能用硅片掺杂剂破碎方法，步骤包括选定一台单晶炉作为掺杂剂淬火炉；所述淬火炉内装入石英坩埚，抽真空,通氩气，加热到700℃，恒温1小时；将水槽洗净，注入2/3体积的自来水，推至淬火炉；将已测试好电阻率的掺杂剂晶块用水洗净，晾干后，置于晶块淬火筐内；提升淬火筐至副炉室中，副炉室抽空和换气，最后将淬火筐降入石英埚内；烘烤30分钟后，快速将淬火筐提升并取出，立即将淬火筐沉入水槽中，使掺杂剂块体淬火，同时将另一淬火筐装入掺杂剂后吊入淬火炉内，进行烘烤；水槽内的块体掺杂剂冷却后，取出掺杂剂块体，手工敲碎即可。解决了人工敲碎加工掺杂剂效率低、产量少、容易混入杂质和出现过碎粉体的问题。具有简单、易行、效率高的特点。
-
公开(公告)号：CN109097821A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811086999.0
申请日：2018-09-18
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，该方法包括以下步骤，（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。该铺设方法通过将每排或每列的籽晶块统一来源于同一根单晶圆棒，可有效保证单晶籽晶之间的误差控制在0.1mm以内，有效减少籽晶铺设过程中的缝隙，降低晶锭的位错密度。
-
公开(公告)号：CN108611678A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810598224.5
申请日：2018-06-12
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法，包括以下步骤，从坩埚底部开始依次铺设一层单晶籽晶、碎硅片、边皮、原生致密棒料或大块菜花料、小块原生硅料、回收料、小块回收料。本发明具有以下几个特点：碎硅片避免了籽晶层上方应力集中，也减少了熔化阶段硅液对籽晶层的热冲击，减少了因应力集中和热应力而产生的位错；原生硅料铺在坩埚下部、回收料铺在坩埚上部，减少引晶初期因杂质聚集而产生的位错和多晶；埚壁紧贴一层边皮，可以减少涂层的脱落，相邻边皮留有一定距离，防止高温时边皮膨胀挤压坩埚，可降低坩埚破裂风险。
-
公开(公告)号：CN108754598A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810598330.3
申请日：2018-06-12
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种生产铸造单晶时新型籽晶的铺设方法，包括以下步骤：直拉单晶棒去除边皮，截断后得到小长方体形状的籽晶；将籽晶的四个边进行倒角或将籽晶加工成台阶形；将籽晶侧面紧密贴合，铺满整个坩埚底部。硅料熔化阶段，硅液流入籽晶拼接缝，因为籽晶拼接缝底部留有空隙，给硅液凝固体积膨胀预留了足够的空间，所以不会给籽晶造成很大应力，减少了位错的产生，提升了铸造单晶的质量。
-
公开(公告)号：CN209368385U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201822145361.1
申请日：2018-12-20
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种多晶硅铸锭用的底部保温装置，包括固定在隔热笼底部的底部保温板，所述底部保温板包括第一底部保温板，第一底部保温板的下端设有第二底部保温板，第一底部保温板层叠置于第二底部保温板上端面的中间位置，所述第一底部保温板的上端面上的中心位置设有凹槽。该装置使多晶硅锭在长晶期间的垂直温度梯度得到显著提高，增加了硅锭中心区域的长晶速率，从而使长晶界面变平或者微凸，减少了硅锭边部区域的晶体缺陷，同时可以增加硅锭的长晶速率，提高了生产效率。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.037 秒)
