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公开(公告)号：CN105780108B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610213940.8
申请日：2016-04-08
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种G5多晶铸锭炉改造为G6多晶铸锭炉的方法，包括步骤，隔热笼外部保温板外侧开槽，槽深为30mm，隔热笼内部保温板左侧倒角45°切割处理，隔热笼转角部位设有转角隔热板，隔热笼内部的上保温板设有2块，隔热笼底部设有上挡火条和下挡火条，DS块进行加宽，DS块设有加宽条，原有G5下隔热底板作为改造后的上隔热底板使用；侧面加热器吊臂上设有石墨电极；A1面侧面加热器、A4面侧面加热器、A3面侧面加热器与侧面加热器吊臂连接处设有凹槽。在隔热笼钢笼不变的情况，对原有G5改造，使得整个热场布局能满足G6铸锭内空尺寸要求，由于热场布局中石墨侧部加热器及顶部加热器得到二次利用，整体温差分布可以得到保留，从而使得铸锭热场中晶体生长与G5生长类似，保证晶体质量，同时由于隔热板材配件结构设计中可以二次利用，具有G6升级改造成本价格低廉、安装方便的特点。
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公开(公告)号：CN109097821A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811086999.0
申请日：2018-09-18
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，该方法包括以下步骤，（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。该铺设方法通过将每排或每列的籽晶块统一来源于同一根单晶圆棒，可有效保证单晶籽晶之间的误差控制在0.1mm以内，有效减少籽晶铺设过程中的缝隙，降低晶锭的位错密度。
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公开(公告)号：CN108611678A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810598224.5
申请日：2018-06-12
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法，包括以下步骤，从坩埚底部开始依次铺设一层单晶籽晶、碎硅片、边皮、原生致密棒料或大块菜花料、小块原生硅料、回收料、小块回收料。本发明具有以下几个特点：碎硅片避免了籽晶层上方应力集中，也减少了熔化阶段硅液对籽晶层的热冲击，减少了因应力集中和热应力而产生的位错；原生硅料铺在坩埚下部、回收料铺在坩埚上部，减少引晶初期因杂质聚集而产生的位错和多晶；埚壁紧贴一层边皮，可以减少涂层的脱落，相邻边皮留有一定距离，防止高温时边皮膨胀挤压坩埚，可降低坩埚破裂风险。
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公开(公告)号：CN105755539A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610213976.6
申请日：2016-04-08
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种提高多晶铸锭半融工艺形核颗粒引晶作用，包括以下步骤，主颗粒，主颗粒是单晶硅颗粒、多晶硅颗粒、氮化硅颗粒或氧化铝颗粒其中的一种，尺寸大小为5?30mm，用量为10?30kg；喷涂坩埚并配置次颗粒混合液；调节设备，确保设备达到正常稳定状态，将配置好的次颗粒混合液喷涂至坩埚内底部；将主颗粒放置在喷涂有次颗粒混合液的坩埚底部进行铸锭融化。解决了晶锭四周籽晶被融后出现底部晶粒杂乱且晶粒偏大的问题以及降低位错的缺陷，具有提高产率、质量和精度的特点，且降低了原材料消耗和能耗，加工工序、操作控制简便，无污染。
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公开(公告)号：CN102304764A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110277996.7
申请日：2011-09-19
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种单晶硅片降低电阻值的处理方法，包括步骤如下选料，选择厚度为200±20μm，中心电阻率3-6Ω.cm，棱线边缘电阻率1-3Ω.cm，采用直拉式单晶炉制备的P型太阳能级单晶硅片；装料，硅片承载架底层放置2片平整的单晶硅片，然后放置10-50片待处理单晶硅片，在其上面放置2片平整的单晶硅片，然后用抓钳推进电阻炉内平放；热处理，热处理温度设置为500-600℃，加热退火时间为15-20min；空气冷却，电阻率超标的单晶硅片，在500-600℃温度场中，放置15-20min后，用抓钳取出放置在室温自然环境中空气冷却；测试比较，单晶硅片冷却至室温，表面洁净后用hennecke硅片分选机进行测试，电阻率回到0.5-3Ω·cm时，证明退火成功。可有效降低硅片的电阻率，具有工艺简单、效果好的特点，且节能、成本低。
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公开(公告)号：CN102267700A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110222637.1
申请日：2011-08-04
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 一种硅片碎料中不同材质与形状有机细屑杂质分离去除方法，包括，用硫酸与硝酸配成混合液体，硫酸与硝酸比例为（7-9）：（1-3），对碎硅片进行处理，尔后用水清洗干净。具有效率高、易清洗的特点，且操作简单。可用于硅片碎料回收再利用。
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公开(公告)号：CN102010796A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010604992.0
申请日：2010-12-25
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
发明人： 袁志鸿
摘要： 本发明公开用于清洗表面带有黑点或黑斑的太阳能多晶硅片的清洗液，由醇类助剂、络合剂、聚醚表面活性剂、分散剂、防沉淀剂及纯水混合制备而成，各原料的质量百分比为：醇类助剂3%~40%、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚1%~10%、无机助剂1%~5%、络合剂1%~5%、防沉淀剂0.5%~5%、纯水1%~80%。本发明提供的清洗液具有高清洗效率的特点，制备简单，提高了硅片良率，有利于降低企业成本。
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公开(公告)号：CN101968666A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010260284.X
申请日：2010-08-23
申请人： 清华大学 , 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 , 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
摘要： 本发明涉及光伏多晶硅铸锭炉的控温装置，属于光伏多晶硅铸锭炉的温度自动化控制技术领域；本装置包括安装在光伏多晶硅铸锭炉上的控温热电偶，还包括光伏多晶硅铸锭炉上的光学高温计、主控制器、模拟量输出模块、功率控制器和交流电源；其中，所述控温热电偶和光学高温计的温度输出端分别与主控制器的输入端相连，主控制器的输出端通过模拟量输出模块与功率控制器的输入端相连，功率控制器的输出端与光伏多晶硅铸锭炉的加热器相连，所述交流电源的输入端也与功率控制器的另一输入端相连。同时采用光学高温计和热电偶进行温度控制。本发明具有操作方便，控温可靠、精度高等特点，极大提高多晶硅铸锭质量。
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公开(公告)号：CN101864593A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010197799.X
申请日：2010-06-03
申请人： 王敬 , 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种掺氮多晶硅锭的制备方法，包括在石英坩埚中装入多晶硅与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉并装炉，将炉室抽真空-并加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，此后将炉内温度以1～10℃/min的降温速度逐渐降低至1350～1420℃，接着将所述炉室内温度自然冷却至室温，然后取出硅锭粉碎为小块状，得到母合金硅块；在石英坩埚中装入所述母合金硅块、多晶硅料以及电活性掺杂剂的混合料，将炉室抽真空并加热至1420～1550℃，得到熔融硅料混合物；和使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶硅锭。根据本发明的掺氮多晶硅的制备方法，可以利用现有的设备进行掺氮，掺氮均匀、掺氮浓度高、整个工艺简单易成本低。此外，本发明还公开了一种掺氮单晶硅锭的制备方法。
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公开(公告)号：CN101774229A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910186850.4
申请日：2009-12-30
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
发明人： 汪敏华
IPC分类号： B28D1/22
摘要： 本发明涉及一种线切片机中部断线、异常线弓报警装置，包括断线报警电路，在切割室设有断线、异常线弓报警装置，所述的断线、异常线弓报警装置包括断线杆固定架、不锈钢棒，所述的断线杆固定架上设有两个平行通孔和安装固定通孔，通孔内设有两根不锈钢棒，所述的两根不锈钢棒末端连接断线报警电路。从而解决了线切片机中部断线、异常线弓报警的问题。能有效预防切割断线导轮的损坏，有效控制异常线弓断线率，具有结构简单，减少断线率，延长设备寿命，保证正常生产产能的特点。
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