一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法

    公开(公告)号:CN109023503A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811087034.3

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/06

    CPC分类号: C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法,该方法包括以下步骤:(一)在石英坩埚内表面喷涂氮化硅涂层,作为硅锭脱模层;(二)在石英坩埚底部先铺设第一保护层;(三)再在第一保护层上面铺设单晶籽晶层;(四)在单晶籽晶层2上面铺设第二保护层;(五)铺设好第二保护层后,其余区域铺设回收料和原始纯料即可。本发明采用第一保护层可防止高温下单晶籽晶底部受到氮化硅颗粒对籽晶的损伤,减少底部缺陷产生;并且采用第二保护层可大大减少上层硅料重力对籽晶的影响,降低籽晶本体位错的产生,提高铸造单晶质量。

    一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法

    公开(公告)号:CN109097821A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201811086999.0

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: C30B11/14 C30B29/06

    摘要: 一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法,该方法包括以下步骤,(1)用单晶截断机截取多根单晶圆棒;(2)用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒;(3)再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块;(4)分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗,清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底,其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。该铺设方法通过将每排或每列的籽晶块统一来源于同一根单晶圆棒,可有效保证单晶籽晶之间的误差控制在0.1mm以内,有效减少籽晶铺设过程中的缝隙,降低晶锭的位错密度。

    一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法

    公开(公告)号:CN108611678A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810598224.5

    申请日:2018-06-12

    IPC分类号: C30B11/02 C30B11/14 C30B29/06

    摘要: 一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法,包括以下步骤,从坩埚底部开始依次铺设一层单晶籽晶、碎硅片、边皮、原生致密棒料或大块菜花料、小块原生硅料、回收料、小块回收料。本发明具有以下几个特点:碎硅片避免了籽晶层上方应力集中,也减少了熔化阶段硅液对籽晶层的热冲击,减少了因应力集中和热应力而产生的位错;原生硅料铺在坩埚下部、回收料铺在坩埚上部,减少引晶初期因杂质聚集而产生的位错和多晶;埚壁紧贴一层边皮,可以减少涂层的脱落,相邻边皮留有一定距离,防止高温时边皮膨胀挤压坩埚,可降低坩埚破裂风险。

    一种多晶硅铸锭用的底部保温装置

    公开(公告)号:CN209368385U

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201822145361.1

    申请日:2018-12-20

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 一种多晶硅铸锭用的底部保温装置,包括固定在隔热笼底部的底部保温板,所述底部保温板包括第一底部保温板,第一底部保温板的下端设有第二底部保温板,第一底部保温板层叠置于第二底部保温板上端面的中间位置,所述第一底部保温板的上端面上的中心位置设有凹槽。该装置使多晶硅锭在长晶期间的垂直温度梯度得到显著提高,增加了硅锭中心区域的长晶速率,从而使长晶界面变平或者微凸,减少了硅锭边部区域的晶体缺陷,同时可以增加硅锭的长晶速率,提高了生产效率。

    一种高效多晶硅锭铸炉的加热器及热场结构

    公开(公告)号:CN209082034U

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201821522960.4

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 一种高效多晶硅锭铸炉的加热器及热场结构,包括置于隔热笼内侧的侧部保温板,所述侧部保温板的内侧四周设有侧部加热器,侧部保温板的内侧上端设有顶部加热器,侧部保温板内还设有DS块,侧部保温板的底部设有下底部保温板,下底部保温板的上端设有上底部保温板,所述上底部保温板的上端面上的4个角部均设有底部保温条,所述侧部加热器包括4个侧面上的侧面加热板和4个角部“U”型加热板。本实用新型的侧部加热器上的4个角上增加一块“U”型加热板,使得角部导热量增加,单相侧部功率增加12%,侧部加热器对硅锭的热辐射更加均匀,弥补热场内角部供热不足的缺陷。

    一种脱胶工序类单晶籽晶的保护装置

    公开(公告)号:CN209481855U

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201822145980.0

    申请日:2018-12-20

    IPC分类号: C30B35/00 C30B29/06

    摘要: 一种脱胶工序类单晶籽晶的保护装置,包括镶嵌式固定在金属框架内的保护框,所述保护框的4个侧壁以及底部端面均设有密排分布的细孔,所述保护框内装有类单晶籽晶,类单晶籽晶上端设有玻璃板,玻璃板上端设有晶拖,所述保护框和类单晶籽晶相接触的4个侧壁以及底部端面上还均设有软塑料网。本实用新型在金属框架中套一个保护框,保护框上具有密排分布的细孔,保护框内壁的四个侧面和底面上固定有网状软塑料,能够防止类单晶籽晶直接与保护框磕碰。

    一种用于类单晶籽晶清洗用的花篮

    公开(公告)号:CN207811938U

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201721802108.8

    申请日:2017-12-21

    IPC分类号: C30B35/00

    摘要: 一种用于类单晶籽晶清洗用的花篮,包括由一块底板和四块侧板围成的花篮壳体,所述花篮壳体上端口上设有加强筋,花篮壳体内的底部设有多块底部限位隔板,底部限位隔板上端相对应的设有多块中部限位隔板,所述的多块中部限位隔板经侧面限位隔板固定连接,侧面限位隔板与多块中部限位隔板、底部限位隔板垂直且置于中部限位隔板的中间位置,所述侧面限位隔板和中部限位隔板的两端均固定在侧板的内端面上,所述侧板和底板上均匀设有数个圆形孔洞,所述侧板上还设有多边形开口。本实用新型可以保证类单晶籽晶的完整度及清洗效果,因此可以减少类单晶铸锭中位错的数量,提高类单晶硅锭的质量,且结构简单、加工成本低,可以重复循环使用。