-
公开(公告)号:CN102304764A
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN201110277996.7
申请日:2011-09-19
申请人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
CPC分类号: Y02P70/521
摘要: 一种单晶硅片降低电阻值的处理方法,包括步骤如下选料,选择厚度为200±20μm,中心电阻率3-6Ω.cm,棱线边缘电阻率1-3Ω.cm,采用直拉式单晶炉制备的P型太阳能级单晶硅片;装料,硅片承载架底层放置2片平整的单晶硅片,然后放置10-50片待处理单晶硅片,在其上面放置2片平整的单晶硅片,然后用抓钳推进电阻炉内平放;热处理,热处理温度设置为500-600℃,加热退火时间为15-20min;空气冷却,电阻率超标的单晶硅片,在500-600℃温度场中,放置15-20min后,用抓钳取出放置在室温自然环境中空气冷却;测试比较,单晶硅片冷却至室温,表面洁净后用hennecke硅片分选机进行测试,电阻率回到0.5-3Ω·cm时,证明退火成功。可有效降低硅片的电阻率,具有工艺简单、效果好的特点,且节能、成本低。
-
公开(公告)号:CN203401616U
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201320420350.4
申请日:2013-07-16
申请人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要: 一种降低晶体硅片崩边的装置,包括硅块、晶托,所述硅块下表面与切割线网长垂直的方向平行的粘接两根导向条,所述硅块上表面设有玻璃板,玻璃板上表面设有金属垫条,金属垫条上设有晶托,所述晶托与金属垫条之间靠往放线轮一侧设有金属垫片。解决了多晶硅片切片倒角崩边异常的问题。具有结构简单、效果好的特点,提高了硅片成品率。
-
-