公开(公告)号：CN113950748A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080025271.6

申请日：2020-01-28

申请人： 沃孚半导体公司

发明人： 萨普撒里希·斯里拉姆 ,  托马斯·史密斯 ,  亚历山大·苏沃罗夫 ,  克里斯特·哈林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 一种装置，包括基板。该装置还包括该基板上的III族氮化物缓冲层；III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层，III族氮化物阻挡层包括比III族氮化物缓冲层的带隙更高的带隙。该装置还包括电连接至III族氮化物阻挡层的源极；电连接至III族氮化物阻挡层的栅极；电连接至III族氮化物阻挡层的漏极；和以下中的至少一种的p区：在所述III族氮化物阻挡层下方的基板中或基板上。

公开(公告)号：CN118248725A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410377963.7

申请日：2020-01-28

申请人： 沃孚半导体公司

发明人： 萨普撒里希·斯里拉姆 ,  托马斯·史密斯 ,  亚历山大·苏沃罗夫 ,  克里斯特·哈林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了具有隐埋P型层的III族氮化物高电子迁移率晶体管及其制造方法。本发明还提供了一种装置，包括基板。该装置还包括该基板上的III族氮化物缓冲层；III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层，III族氮化物阻挡层包括比III族氮化物缓冲层的带隙更高的带隙。该装置还包括电连接至III族氮化物阻挡层的源极；电连接至III族氮化物阻挡层的栅极；电连接至III族氮化物阻挡层的漏极；和以下中的至少一种的p区：在所述III族氮化物阻挡层下方的基板中或基板上。

公开(公告)号：CN117374113A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311351913.3

申请日：2017-06-23

申请人： 沃孚半导体公司

发明人： 萨普撒里希·斯里拉姆 ,  亚历山大·苏沃罗夫 ,  克里斯特·哈林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

摘要： 本申请涉及在碳化硅基底中具有深植入P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管。本公开涉及高电子迁移率晶体管，其包括SiC基底层、设置在SiC基底层上的GaN缓冲层，以及具有与在其上提供GaN缓冲层的SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层。在下列中的一个中提供p型材料层：SiC基底层和布置在SiC基底层上的第一层。还公开了制造高电子迁移率晶体管的方法。